100 を超える物理 MCQ の質問に答えて、あなたの物理知識の深さを確認してください。
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A. 3.125 X107
B. 5.187 X107
C. 4.277 x 107
D. 6.911x107
A. それぞれ169 jと11.5 m、
B. それぞれ178 jと18.4 m
C. それぞれ112 Jと21.2 RN
D. それぞれ157 jと14.8 m
A. 832600 j
B. 749700 J
C. 128840 j
D. 116260 j
A. 3.65 X109
B. 1.129 x 1011
C. 4.86 X1015
D. 8.18 X107
A. Faradayの既存の法律
B. キルチョフの最初の法律
C. キルチョフの第二法則
D. ファラデーの第二法律
A. 非保守的な力が作用していない場合、オブジェクトが動くにつれて、オブジェクトの運動エネルギーと潜在的なエネルギーの合計は一定であると述べています。
B. オブジェクトが動き回るときに作用する非保守的な力が作用していない場合、オブジェクトの電位エネルギーと運動エネルギーの違いはゼロであると述べています。
C. ポテンシャルエネルギー関数が最小である場合、オブジェクトは平衡状態にあると述べています。
D. ポテンシャルエネルギーの値は、オブジェクトが動き回るときに非保守的な力が作用していない場合、オブジェクトの運動エネルギーの2倍の値であると述べています。
A. 10123 j
B. 1055 j
C. 1068 J
D. 1082 j
A. 1.23 X104 BQ
B. 1.83 X103 BQ
C. 2.83 X103 BQ
D. 1.62 X104 BQ
A. 140-160 MHz
B. 76-88 MHz
C. 174-216 MHz
D. 88-108 MHz
A. 5.2 a
B. 8.5 a
C. 7 a
D. 6 a
A. 4 m
B. 4.8 m
C. 3 m
D. 3.6 m
A. 7.4 j
B. -5.7 j
C. 11.2 j
D. -8.2 j
A. -8 x10 "7 j
B. -9 x10'7 J
C. -2.3 x10” 7 j
D. -13 x10’7 j
指定された画像。指定されたネットワークのVCEQの正しい値は何ですか?
A. 4.12 v
B. 4.44 v
C. 3.98 v
D. 3.28 v
A. 90 km
B. 88 km
C. 96 km
D. 98 km
A. 0.0842 /°C
B. 1.45 /°C
C. 0.54 /°C
D. 0.0067 /°C
A. 8.2 x 1015 Hz
B. 5.8 x 1013 Hz。
C. 7.4 x 1018 Hz。
D. 6.6 X1015 Hz。
A. 10-12-108 o m
B. 10-3 - 109 o m
C. 10-5 —10'6 o m
D. 10-9 —1O8O m
A. トランスデューサー
B. 送信機
C. リピータ
D. 増幅器
次のタイプの波のうち、与えられた特性があるものはどれですか?
i)波は、送信アンテナから受信アンテナへの直線で移動します。
ii)視線通信に使用されます。
A. 地面波
B. 空の波
C. 宇宙波
D. 上記のどれでもない。
A. 6.8 MHz
B. 4.2 MHz
C. 2.5 MHz
D. 8.3 MHz
A. 974.3 a
B. 936.2 a
C. 951.4 a
D. 985.5 a
A. 0.21 n
B. 0.16 n
C. 0.05 n
D. 0.34 n
A. 1.24 mm
B. 2.92 mm
C. 2.26 mm
D. 1.83 mm
A. 102
B. 106
C. 104
D. 108
A. 112.8 MEV/C2
B. 135.2 MEV/C2
C. 132.8 MEV/C2
D. 127.5 MEV/C2
A. 1/a = 1/r [1/22 —1/n2]
B. 1/a = r [1/42 —1/n2]
C. 1m = r [1/12 —1/n2]
D. 1m = 1/r [1/32 - 1/n2]
A. + 40 cm(凸レンズ)
B. + 50 cm(凸レンズ)
C. + 60 cm(凹面レンズ)
D. + 50 cm(凹面レンズ)
A. トルクのみ
B. 正味の力のみ
C. トルクと正味の力の両方。
D. トルクも正味の力もありません。
A. 2 x10'8 c m "
B. 0.5 x 10-8 c m "
C. 1.5 X10'7 C M-1
D. 0.8 x10'7 c m'1
A. RHT/2
B. (2RHT)
C. (2R/HT)
D. 2R/HT
A. QV
B. Q/v
C. 2QV
D. Q/2V
E. 2q/v
A. b = pol/2m
B. b = 2nlto/al
C. b = 4uoa/nl
D. B = Attila/UO
A. -1000 j
B. -5600 j
C. -8000 j
D. <p> <span style =
E. 0 j
A. 520 j
B. 400 J
C. 460J。
D. 500 j
A. 0.8
B. 1.2
C. 1.5
D. 1.8
A. 2.8 x108 m/s
B. 3.1x108 m/s
C. 2.2 x 10’5 m/s
D. 3.2 x 106 m/s
A. 28 o
B. 30 o
C. 32 o
D. 34 o
A. ½
B. 3/2
C. 1/4
D. ¾
A. 6.7 x 10“ 5
B. 12.5 x 1054
C. 4.8 x1040
D. 9.7 x 10 "2
A. 5分
B. 4分
C. 7分
D. 8分
E. 10分
A. 16
B. 20
C. 24
D. 32
A. -120°C
B. -170°C
C. -90°C
D. -80°C
A. 2046*
B. 3183 "
C. 24.41°
D. 36.55°
A. 160 cm
B. 300 cm
C. 480 cm
D. 600cm
A. 屈折角が90°の角度です。
B. 屈折角が120°の角度です
C. 屈折角が60°である角度です。
D. 屈折角が180°である角度です。
A. メソスフィア
B. exosphere
C. 熱圏
D. 成層圏
指定された画像の。画像のどの位置がレンズの組み合わせによって形成されますか?
A. <p>最終画像は、3番目のレンズの左から30 cm形成されます。</p>
B. <p>最終画像は、2番目のレンズの右に50 cm形成されます。 </p>
C. <p>第3レンズの右側に60 cm形成されます。 </p>
D. <p>最終画像は、2番目のレンズの左側40 cm形成されます。</p>
A. A/4
B. A/6
C. A/8
D. A/10
A. 1.52
B. 1.33
C. 1.42
D. 1.53
A. 前方
B. 逆行
C. バイアスは使用されません。
A. それらは3つのリード半導体デバイスです。
B. JFETSにはバイアス電流が必要です。
C. JFETは、電流アンプおよび電圧制御抵抗器として使用されます。
D. jfetsの場合、v6 —V5 = 0、オンになっている場合。
A. c
B. si
C. ge
D. オプションAとBの両方。
E. オプションBとCの両方。
F. オプションAとCの両方。
A. 42000 w
B. 36000 W
C. 45000 w
D. 30000 w
A. 干渉とは、2つのコヒーレントソースによって生成される2つの異なる波面からの二次ウェーブレットの重ね合わせによるものであり、回折は、同じ波面の異なるポイントから放出される二次ウェーブレットの重ね合わせによるものです。
B. 干渉では、フリンジは等しく間隔を空けていますが、回折ではフリンジは不均等に間隔を空けます。
C. 干渉では、明るいフリンジは同じ強度ですが、回折では、フリンジの強度が急速に落ちます。
D. 干渉は、回折と比較してフリンジの数が少なくなります。
A. 16:9
B. 18:7
C. 20:9
D. 25:8
A. CN2M-2
B. CM'2
C. c2n "m’2
D. NM’2
Span>
指定された画像では、与えられたzenerダイオードのvimxの値(「on」状態)? < span style = "font-variant-numeric:normal; font-variant-east-asian:normal; vertical-align:baseline;">
A. 52.3 v
B. 45.9 v
C. 51.6 v
D. 57.7 v
A. +2 dioptre
B. +1 dioptre
C. +1.25 dioptre
D. +2.25 Dioptre
A. 1.32 a
B. 2.45 a
C. 1.69 a
D. 2.07 a
A. 33%のリードと67%のアルミニウム。
B. 37%のリードと63%スズ
C. 27%アルミニウムと63%のスズ。
D. 40%アルミニウムと60%のスズ。
A. 92.5 m/s
B. 97.2 m/s
C. 63.2 m/s
D. 76.6 m/s
A. 20.8 x 10'5 m/s
B. 18.2 x 10’5 m/s
C. 15.5 x10’5 m/s
D. 24.3 x10’5 m/s
A. 1/280 m/s
B. 1/140 mls
C. 1/400 m/s
D. 1/300 m/s
A. 6.72 x 107 j
B. 5.34 X10’6 .1
C. 3.58 X10“ 6 J
D. 1.86 x 10-71
A. 7350 a
B. 8520 a
C. 6000 a
D. 9800 a
A. 1.2 x10'2 n
B. 1.6 x 10-3 n
C. 2.6 x10'2 n
D. 2.4 x10'3 n
A. 6 mm
B. 5 mm
C. 4 mm
D. 3 mm
3つの並列導体x、y、zは、形。各導体の長さが10 mの場合、導体yの結果の力の大きさと方向は何ですか? font-family:arial; color:#000000; background-color:透明:透明; font-weight:400; font-style:normal; font-variant:normal; text-decoration:none; vertical-align:baseline; white-face :pre; white-space:pre-rap; ">
A. <p>ワイヤyは18 x 10'5 Nの正味力で2に引き付けられます。</p>
B. <p>ワイヤYは24 x 10’5 Nの正味力でZに引き付けられます。</p>
C. <p>ワイヤYは2に引き付けられ、正味力は16 x 10'5 nです。</p>
D. <p>ワイヤyは、20 x105 Nの正味力で2に引き付けられます。&nbsp;&nbsp; </p>
A. 2000 A - 6000 a
B. 4000 A -8000 A
C. 3000 A -12000 a
D. 5000 A -10000 a
A. 0.9 v
B. 1.2 v
C. 1.8 V
D. 2.3 v
A. 変調指数= 1サイドバンド= 1040 kHz、960 kHz
B. 変調指数= 1サイドバンド= 1000 kl-iz、960 kHz
C. 変調指数= 0.5サイドバンド= 1040 kHz、960 kHz
D. 変調指数= 0.5サイドバンド= 1020 kHz、980 kHz
A. 1:2
B. V2ZV3
C. V2:1
D. 121/2
A. 0 3 g
B. 0 5 g
C. o 9 g
D. 0 6 g
A. 電力
B. 電位
C. オプションAとBの両方がスカラーです。
D. オプション8もオプションBもスカラーではありません。
A. 288 W
B. 312 w
C. 260 W
D. 320 W
A. ライン吸収スペクトル
B. バンド吸収スペクトル
C. 連続吸収スペクトル
D. 上記のどれでもない。
指定された画像では、与えられたシステムの出力インピーダンスのレベルは何ですか?
A. 32コーム
B. 36コーム
C. 40 Kohm
D. 44 KOHM
A. インジウム(in)
B. インジウム(in)
C. el arsenic(as)
D. el arsenic(as)
E. アンチモン(SB)
F. アンチモン(SB)
G. ホウ素(b)
H. ホウ素(b)
A. 加速電荷は電磁波を生成します。
B. 電磁波には伝播のための媒体が必要です。
C. 電磁波は、電界と磁場によって偏向されます。
D. エネルギーは、電磁波の電界と磁場の間に等しく分布しています。
A. 核質量(m)は常にその成分の質量(ZM)に等しくなります。
B. 核質量(m)は常にその成分の質量(ZM)に等しくなります。
C. 中性子のII質量は、プロトンの質量とほぼ同じです
D. 中性子のII質量はプロトンの質量とほぼ同じです
E. 同位体は、同じ原子数を持つが、異なる中性子数を持つ核種です。
F. 同位体は、同じ原子数を持つが、異なる中性子数を持つ核種です。
G. 30〜170の範囲の質量数の場合。Nucleonあたりの結合エネルギーはほぼ一定です。約12 meV/核です。
H. 30〜170の範囲の質量数の場合。Nucleonあたりの結合エネルギーはほぼ一定です。約12 meV/核です。
真空管デバイスと半導体デバイスの間の正しい違いは次のうちどれですか?
A. <p>真空チューブは、半導体デバイスと比較してより効率的です。</p>
B. <p>真空チューブは、半導体デバイスと比較してより効率的です。</p>
C. <p>真空チューブは電流駆動装置であり、半導体は電圧制御デバイスです。</p>
D. <p>真空チューブは電流駆動装置であり、半導体は電圧制御デバイスです。</p>
E. <p>真空チューブは統合回路として使用できませんが、半導体は統合された回路を使用できます。</p>
F. <p>真空チューブは統合回路として使用できませんが、半導体は統合された回路を使用できます。</p>
G. <p>真空チューブは温度に敏感なデバイスであり、半導体はそうではありません。</p>
H. <p>真空チューブは温度に敏感なデバイスであり、半導体はそうではありません。</p>
A. 対流圏
B. 対流圏
C. F2(Thermosphere)
D. F2(Thermosphere)
E. D(成層圏の一部)
F. D(成層圏の一部)
G. E(成層圏の一部)
H. E(成層圏の一部)
A. 石英
B. アラゴナイト
C. 方解石
D. マイカ
A. ジャンクションダイオードは2つしか使用していません。
B. 変圧器は必要ありません。
C. フルウェーブブリッジ整流器。リップル係数の値は121%です。
D. 効率は81.2%です。
A. 帯域幅が効率的です。
B. AM波はノイズのために影響を受けません。
C. AM波は電力使用量が効率的ではありません。
D. これらの波はより長い距離を移動できます。
A. 呼吸管のほとんどを線
B. 軟骨内で発達するために血管を刺激します
C. 多細胞単純腺
D. 爆発細胞は、積極的に分割されていない細胞です。
A. 解決
B. 干渉法
C. 集中
D. 無線波
A. 同じままです
B. 主に時間をかけて、スペースを少しだけ通り抜ける
C. その質量は、光の速度の速度です
D. どれでもない
A. 赤い正方形
B. 黄色の三角形
C. オレンジの三角形
D. どれでもない
A. 直接
B. 磁気ストレージ
C. 永久に
D. インターネット・アクセス
A. 出現する同じ光ではありません
B. エネルギーを獲得します
C. 主にガラスの熱に変換されます
D. 出現するのと同じ光です
A. ポジティブ
B. ゼロ
C. 正または負のいずれか
D. ネガティブ
A. Volt
B. オーム
C. アンペア
D. フランクリン
A. 春
B. 夏
C. 秋
D. 冬も
A. 銀行のお金のように損失なしで譲渡されます。
B. 中性子
C. 角に向かって相互に反発しました
D. 電界と重力場
A. 地球のすべての層全体で均一です
B. 深さで一定の速度で減少します
C. 深さで一定の速度で増加します
D. 一般的に深さとともに増加しますが、時々突然のジャンプをします
A. 永遠に地球の重力場を離れます。
B. 地球の重力の影響を追い越しますが、それを超えることはありません。
C. 最終的に停止し、将来的に地球に戻ります。
D. 上記のすべて。
A. 6.0波/秒
B. 波の速度に依存します
C. 0.25波/秒
D. 8.0波/秒
E. 4.0波/秒
A. アルファ
B. ベータ
C. シータ
D. デルタ。