100 を超える回路設計 MCQ に答えて、回路設計の知識をテストします。
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A. コンデンサ
B. ダイオード
C. 抵抗
D. インダクタ
A. インダクタと抵抗器
B. インダクタとコンデンサ
C. 抵抗器とコンデンサ
D. 抵抗器とトランジスタ
A. ネットワークは1つ以上のインダクタを採用しているため、伝統的にシンボル" l。"
B. なぜなら、それは、好ましいインピーダンスマッチによって有効な大量の出力スループットの点で発射台に似ているからです。
C. ネットワーク内の2つの抵抗器は、伝統的に大文字の形に配向されているため、#34; l"概略図。
D. それは、初期の電磁理論家であるヘンドリック・ローレンツに敬意を表して命名されたからです。
A. インダクタ
B. ダイオード
C. トランジスタ
D. 真空チューブ
A. 0.6オーム
B. 377オーム
C. 50オーム
D. 100万オーム
A. l
B. Q
C. r
D. t
A. 誘電体の厚い層は、同じ誘電体の薄い層よりも高い分解電圧を持っています
B. 誘電体の薄い層は、同じ誘電体の厚い層よりも高い分解電圧を持っています
C. 誘電体の厚さは、その分解電圧に影響しません
A. ポテンショメータ
B. rheostat
C. Varistor
A. Photodiode
B. リレー
C. 圧電クリスタル
A. Z2。ヴィン
B. Z1。ヴィン
C. [Z2 /(Z1 + Z2)]。 vin
D. [Z1 /(Z1 + Z2)]。ヴィン
A. 真実
B. 間違い
A. ナンド
B. また
C. と
D. または
A. ローパスフィルタ
B. バンドパスフィルター
C. ハイパスフィルタ
A. インダクタ
B. コンデンサ
C. 抵抗器
D. トランジスタ
A. 変成器
B. バルン
C. コンデンサ
D. ダイオード
A. 間違い
B. 真実
A. ライトは互いに直列に配線する必要があります。
B. ライトは互いに並行して配線する必要があります。
A. ソレノイド
B. Memristor
C. Rtd
D. jfet
A. 0
B. 1
A. 平面方法
B. 結節分析
C. メッシュ分析
D. 重ね合わせ
A. サーキットブレーカー
B. 2〜3プロングプラグアダプター
C. リレー
D. グラウンドフォールト割り込み
A. そのループの抵抗
B. 二
C. そのループの潜在的な低下の合計
D. 一
A. 間違い
B. 真実
A. 調光器スイッチ
B. 3張りのプラグ
C. サーキットブレーカー
D. グラウンドフォールト割り込み
A. 一
B. 二
C. 四
D. 三つ
A. シリーズ
B. 平行
A. バイアス、コレクター、地面
B. ポジティブ、ネガティブ、ゼロ
C. 増加、減少、反転
D. ベース、コレクター、エミッター
A. 8
B. 17
C. 256
D. 16
A. OHM'の法律
B. ファラデーの法律
C. ガウスの法律
D. Lenz'の法律
A. 六
B. 二
C. 三つ
D. 一
A. まとめ要素モデル
B. 分散要素モデル
A. コンデンサ
B. op-amp
C. トランジスタ
D. ダイオード
A. 抵抗器
B. 導いた
C. コンデンサ
D. インダクタ
A. 差別化要因
B. フィルター
C. 変成器
D. レギュレーター
A. 間違い
B. 真実
A. 信号振幅をサンプリングするために使用される電圧レベルの数
B. 時間内に信号がサンプリングされるか
C. ディザリングに使用されるノイズの位相
A. Triplexer
B. トライステートバッファー
C. 3位のスイッチ
D. インピーダンスロジック
A. ホイートストーンブリッジ
B. ダイオードブリッジ
C. ガルバノメーター
D. マックスウェルブリッジ
A. 真実
B. 間違い
A. 表面マウントボード
B. PCB
C. ブレッドボード
A. 中心外の双極子
B. 運用アンプ
C. 現在のバランス
D. 機械的なスプリング
A. ソース回路
B. 等価回路
C. 分析モデル
D. 線形回路
A. グラウンドリード
B. ホットリード
C. ニュートラルリード
A. 10 Vに並行して接続された2つの100 nfコンデンサ
B. 10 Vに接続された1つの100 nfコンデンサ
C. 直列に10 V に接続された2つの100 nfコンデンサ
A. プッシュプルフォロワー
B. ダイオードブリッジ
C. 逆バイアスディバイダー
D. ダブルダブルアンプ
A. ナンドゲート
B. ローパスフィルター
C. アナログからデジタルへのコンバーター
D. 電圧仕切り
A. 高電圧回路の接地接続を削除します
B. 二次的な低電圧リレー回路を使用することにより
C. 高電圧回路のインダクタンスを増やすことにより
D. 高電圧回路にヒューズを挿入することにより
A. 時間
B. エネルギー
C. キャパシタンス
D. 力
A. ネガティブ
B. ポジティブ
A. オーバーロードクリッピング
B. 低充電キャリア密度
C. 不十分な高電圧直線性
D. ハイヒーター電流
A. シングル100-Wバルブ
B. 2つの60-Wパラレル電球
C. どちらのシステムも同じ量の電力を消散させます
A. と
B. xor
C. ナンド
D. または
A. アステル可能
B. 多数
C. ぶらぶら
D. 単独可能
A. いいえ、オプトカプラーはインダクタンスを追加しません
B. はい、二次回路へ
C. はい、一次回路に
D. はい、プライマリサーキットとセカンデイ回路の両方に
A. 短絡
B. 否定的なフィードバック
C. タンク回路
D. 正のフィードバック
A. カットオフ頻度は、回路内の静電容量の量とは無関係です。
B. カットオフ頻度は、より大きな容量の場合は低くなります。
C. カットオフ頻度は、より大きな容量の場合よりも高くなります。
A. カットオフ頻度は、より大きな容量の場合よりも高くなります。
B. カットオフ頻度は、回路内の静電容量の量とは無関係です。
C. カットオフ頻度は、より大きな容量の場合は低くなります。
A. 大きな物理サイズ
B. 通常の条件下での短い運用寿命
C. 高電流と電圧の過渡現象に対する耐性が低い
D. 高出力消費
A. エアコアインダクタ
B. 強磁性コアインダクタ
A. より狭い帯域幅には、ナイキスト率が低くなります
B. 信号の帯域幅とナイキスト率は関連していません
C. より広い帯域幅には、より高いナイキスト率が必要です
A. 真実
B. 間違い
A. 切り替えモード電源
B. 直流電力送信機
C. AC電源
A. 間違い
B. 真実
A. ノートン相当
B. TheVnin同等
A. フォワードエラー修正
B. 微分シグナル伝達
C. ツイストペアシグナル伝達
D. パケット部門
A. 四
B. 三つ
C. 六
D. 一
A. 一
B. 二
C. 四
D. 三つ
A. 低いQファクター
B. より高いQ係数
A. プロポジーション遅延
B. 応答期間
C. 切り替え時間
D. 遅延期間
A. 電源の正と負の端子の可能性
B. 倒立が、それ以外の場合は変調されていない出力
C. アンプへの正と負の入力の可能性
D. 統合された回路モジュール上の連絡先ピンの2列
A. アナログデバイスではなく、デジタルです
B. フィードバックでのみ機能します
C. 発振器の組み込みが必要です
D. これらは、FM信号の復調に使用されます
A. xor
B. と
C. また
D. ナンド
A. 通常の0.6ボルトフォワードドロップを軽減します
B. 電気化学セルから内部抵抗を除去します
C. 固定境界間の信号の電圧を維持するために
D. はんだ中にダイオードの位置を維持します
A. not(a and b)=(a)and(not bon b)
B. not(a and b)=(a)または(not b)
C. not(a and b)=(not a)nor(not b)
A. 鳴る
B. 量子化
C. ディザリング
D. エイリアシング
A. 入力の大きさに直接比例します
B. 入力の変化率に直接比例します
C. 入力の変化率に反比例します
D. 入力の大きさに反比例します
A. 単独可能な
B. ぶらぶら
C. アステル可能
D. 多数
A. 得
B. ドライブ制限
C. ロジックを切り替えます
D. ファンアウト制限
A. パワーアンプ
B. 電圧仕切り
C. 電圧乗数
A. SMPS
B. UPS
A. 多数
B. ぶらぶら
C. アセルタブル
D. 単独可能
A. はい、結合を避けるために、インダクタは直角に向けられなければなりません。
B. はい、結合を避けるために、インダクタは線に沿って軸方向に向けられなければなりません。
C. はい、カップリングを避けるために、インダクタは並んで並んで反平行に配置する必要があります。
D. いいえ、インダクタのレイアウトに制約はありません。
A. 10〜30 Ma
B. 1〜3 a
C. 10〜30 a
D. 0.01〜0.03 mA
A. 一
B. 三つ
C. 四
D. 二
A. 2つの隣接する印刷導体間の横方向の電流による容量の搾取
B. 通常、電源後のラインで最初の高電力コンデンサ
C. フラックスによる前治療の利点なしに、ボードの下側にはんだ付けされたコンデンサ
D. ホット、ニュートラル、グランドの3つの接続を持つコンデンサ
A. 力
B. エネルギー
C. 充電
D. 時間
A. 間違い
B. 真実
A. 2つの100オーム抵抗を備えたシステム
B. 1つの50オーム抵抗器を備えたシステム
C. 両方のシステムは、すべての抵抗器で同じ電流を持っています
A. 閉じた枝
B. ループネットワーク
C. ノード
D. メッシュ
A. b
B. d
C. a
D. c
A. ハイパス
B. バンドパス
C. ローパス
A. セットレセットラッチは、JKフリップフロップ、データフリップフロップ、およびトグルフリップフロップとして動作できます
B. データフリップフロップは、セットレセットラッチ、JKフリップフロップ、およびトグルフリップフロップとして動作できます
C. JKフリップフロップは、セットレセットラッチ、データフリップフロップ、およびトグルフリップフロップとして動作することができます
D. トグルフリップフロップは、セットレセットラッチ、データフリップフロップ、およびJKフリップフロップとして動作できます
A. まとめ要素モデル
B. 微分モデル
C. 有限要素モデル
D. Maxwell'のモデル
A. グラウンドフォールト割り込み因子
B. 回路ブレーカー
C. 2〜3プロングプラグアダプター
D. ヒューズ
A. 0.4 v
B. 2.4 V
C. 4.6 v
D. 0.8 v
A. グラウンドフォールト割り込みと回路ブレーカーの両方がトリップします。
B. 戦場中断装置のみがトリップします。
C. 戦場中断装置も回路ブレーカーもトリップしません。
D. 回路ブレーカーのみがトリップします。
A. ナンドゲート
B. sr latch
C. JKフリップフロップ
D. Xnorゲート
A. 2つのインバーターと2つのアンド
B. 2つのOR
C. 1つと、1つのナンド、1つまたは
D. 3つのナンド
A. a = 0、b = 0
B. a = 1、b = 0
C. a = 1、b = 1
D. a = 0、b = 1
A. ヘテロダイン処理のみがインピーダンスマッチングを使用します
B. Heterodyne処理のみが周波数変換を採用しています
C. ヘテロダイン処理のみが平方法検出を採用しています
D. Heterodyne処理のみが複数の信号パスを採用しています