集積回路に関するこれらの多肢選択式の質問と回答は、集積回路の知識を固めるのに役立ちます。 これらの 100 以上の集積回路の MCQ を活用して、次の試験や面接の準備をすることができます。
下にスクロールして回答を始めてください。
A. 真実
B. 間違い
A. スルーレート
B. 寸法レート
C. ゲインレート
D. 連続速度
A. オンオフ制御
B. 位相ロックループ
C. ポジティブロックループ
D. オープンループ
A. 穴と陽子
B. 穴と中性子
C. 穴と電子
D. 穴
A. 間違い
B. 真実
A. 間違い
B. 真実
A. 半導体
B. 金属
C. (どれでもない)
D. 非金属
A. 間違い
B. 真実
A. 真実
B. 間違い
A. 間違い
B. 真実
A. 真実
B. 間違い
A. リチウム
B. 窒素
C. ケイ素
D. チタン
A. 携帯電話
B. コンピューター
C. 車
D. (これらすべて)
A. v = ir^2
B. v = ir
C. vr = i
D. VRI = 1
A. タイプ1とタイプ2
B. アナログと光ファイバー
C. アナログとデジタル
D. デジタルおよびファイバー
A. 間違い
B. 真実
A. 間違い
B. 真実
A. フィールドエレクトリックトランジスタ
B. (どれでもない)
C. フィールドエフェクトトランジスタ
D. フィールド電子トランジスタ
A. 1アンペア
B. (どれでもない)
C. 1マイクロアンプレ
D. 1 Ma
A. 2
B. 0
C. b
D. a
A. 間違い
B. 真実
A. (どれでもない)
B. ダイオード
C. 抵抗器
D. 集積回路
A. コンデンサ
B. 抵抗器
C. (これらすべて)
D. トランジスタ
A. 真実
B. 間違い
A. 真実
B. 間違い
A. 2
B. 3
C. 4
D. 1
A. マイクロチップ
B. RC回路
C. P-Nダイオード
D. 増幅器
A. 真実
B. 間違い
A. 2つの行アレイ
B. PCB
C. デュアルインラインパッケージ
D. フラットパック
A. LabView
B. Autocad
C. sice
D. スパイス
A. 間違い
B. 真実
A. 出力がロジック1の場合に消費される電力1
B. 2つのロジックファミリのインターフェースによって消費される電力
C. ロジック状態の切り替え中に消費される電力
A. スピーカーシステム
B. マイクロフォン
A. ドーパント
B. 死ぬ
C. インプラント
D. ウェーハ
A. マトラブ
B. c
C. verilog
D. HHDL
A. 集積回路
B. 基板材料
C. ダイオード
D. nジャンクション
A. フリップ·フロップ
B. カウンター
C. ナンドゲート
D. ブールタイマー
A. アナログ回路
B. (これらすべて)
C. (どれでもない)
D. デジタル回路
A. ハイブリッドIC
B. VLSI
C. fpga
D. CMOS
A. 線形エラー
B. 変換ノイズ
C. ADC比
D. 量子化エラー
A. アナログ信号の2倍の最高周波数
B. アナログ信号の最高周波数に等しくなります
C. アナログ信号の最低周波数の2倍
D. アナログ信号の平均周波数の4倍
A. C ++
B. Java
C. スパイス
D. マトラブ
A. ウィルキンソン
B. 連続した近似
C. ランプ比較
D. R-2R
A. アプリケーション固有の統合回路
B. (どれでもない)
C. アナログ固有の積分回路
A. 真実
B. 間違い
A. 組み合わせロジック
B. 連続ロジック
A. フラッシュメモリー
B. Eeprom
C. ハードディスク
D. dram
A. コンピューター
B. 自動車
C. 携帯電話
D. (どれでもない)
A. VDD
B. vss
C. どれでもない。
D. VCC
A. ダイプリオン
B. 電気分解
C. フォトリソグラフィ
D. エッチング
A. 電圧コンバーター
B. 入力制御発振器
C. 電圧制御オシレーター
D. DC制御シンセサイザー
A. アンプの合計
B. 電圧コンパレータ
C. 微分アンプ
D. 電圧バッファーアンプ
A. クロック信号を使用しません
B. 複雑な操作は、多くの連続したクロックサイクルで実行されます
C. 出力にはメモリがありません
A. 直線的に増加します
B. 指数関数的に減少します
C. 保存されています
D. それは線形に減少します
A. 間違い
B. 真実
A. シリコン分離
B. p-nジャンクションアイソレーション
C. インターフェイス分離
D. 電気分離
A. より高い周波数で使用します
B. 小さい
C. より複雑です
D. (これらすべて)
A. bicmos
B. TTL
C. CMOSジャンクション
D. bjmos
A. 正のフィードバック
B. フィードバックはありません
C. 否定的なフィードバック
A. CMOS回路の出力抵抗を減少させます
B. TTL回路の出力電圧を増加させます
C. CMOS回路の遅延を計算します
A. ナイキストエラー
B. ロールオフ
C. エイリアシング
D. 量子化エラー
A. 年
B. 2年
C. 四年間
A. 必要なサンプリング周波数
B. ADC入力と出力の間のエラー
C. ADC入力に意図的にホワイトノイズを導入しました
D. ADCの入力に存在するバックグラウンドノイズ
A. 間違い
B. 真実
A. 低速
B. 低出力電圧
C. 高出力抵抗
D. 低出力抵抗
A. ghz
B. thz
C. MHz
D. KHZ
A. デルタ - シグマ
B. カウンターランプ
C. デュアルスロープ
D. フラッシュADC
A. 真実
B. 間違い
A. 開回路
B. 短絡
C. (どれでもない)
D. 抵抗器
A. CMOS
B. ECL
C. TTL
A. ゲートエミッター
B. 一般的なソース
C. CMOS
D. 一般的なエミッタ
A. 伝播パス
B. クリティカルパス
C. 最大遅延ロジック
D. 最大レートのシーケンシャルロジック
A. 真実
B. 間違い
A. 真実
B. 間違い
A. 誤った終端抵抗
B. 浮動出力
C. フローティング入力
D. 不十分な電源バイパスプラクティス
A. 2つの別々のトランジスタのベース
B. 単一のトランジスタのコレクターとベース
C. 複数のエミッタートランジスタのエミッター
A. 非シヌソイド
B. sinusoidal
A. (どれでもない)
B. 典型的なすべてのサーキットはオフです
C. 1つの回路のみがにあります
D. より良い導電性材料の使用
A. 切り替えられたコンデンサ
B. パルス幅変調器
C. パイプライン
D. バイナリ加重
A. アクティブなデバイスは安価です
B. より大きな帯域幅
C. より大きな電力処理能力
A. 5年
B. 3年
C. 1年
D. 2年
A. 入力オフセット電圧
B. 入力オフセット電圧ドリフト
C. 入力オフセット電流ドリフト
D. 電源拒否
A. 低電流および高電圧。
B. 高電圧および低電圧。
C. 高電圧および高電圧。
D. 低電圧および低電圧。
A. 位相シフター
B. スケールチェンジャー
C. DCオフセット
D. RCバンドフィルター
E. 遅延イコライザー
A. そのしきい値電圧は高いです。
B. そのしきい値電圧は低いです。
C. ロジック0はビット行では検出されません。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
A. 遅延時間。
B. 立ち上がり時間。
C. 秋の時間。
D. ストレージ時間
A. フィードバックネットワーク
B. ミキサーネットワーク
C. サンプリングネットワーク
D. 信号ソースネットワーク
A. クロックされたパルストレインは1に等しくなります
B. パルスの特定の期間の場合、出力は0になります。
C. パルスの特定の期間の場合、出力は1になります。
D. 出力は0〜1の間で振動します
A. 0
B. 1
C. 2
D. 0.1
A. 非線形歪み
B. 周波数の歪み
C. 位相シフトの歪み
A. ハーフバイナリ加算器
B. 完全なバイナリ加算器
C. MSI Adder
D. 並列操作Adder
A. Demultiplexer
B. デコーダ
C. デジタルコンパレータ
D. 真の補体要素コンパレータ
E. パリティチェッカー
A. 0.2ボルト
B. 0.3ボルト
C. 0.4ボルト
D. 0.6ボルト
A. スーパーゲインNPNトランジスタ
B. 垂直PNPトランジスタ
C. 横方向のPNPトランジスタ
A. 両端の出力を備えた微分アンプ
B. DCレベルの翻訳者入力とドライバー出力
C. 単一のエンド出力を備えた微分アンプ
D. エミッタフロー
A. 双極モズラム
B. 静的モスラム
C. ダイナミックモスラム
A. 1出力は大きさが等しいが、フェーズでは反対です。
B. 2つの出力は大きさが等しいが、フェーズでは反対です。
C. 3出力は大きさが等しいが、フェーズでは反対です。
D. 4出力は大きさが等しいが、フェーズでは反対のものです。
A. シングルポールダブルスロースイッチ(SPDT)は、抵抗器を参照電圧に接続します。
B. シングルポールダブルスロースイッチ(SPDT)は、抵抗器を地面に接続します。
C. アナログ電圧は、デジタル入力に比例します。
A. S-Rフリップフロップ
B. J-Kフリップフロップ
C. tフリップフロップ
D. dフリップフロップ