A.   Поток открытого тока во всех направлениях

C.   Поток закрытия во всех направлениях

A.   Сурьма

B.   Фосфор

C.   Мышьяк

B.   Maxwell-Boltzmann Distribution

C.   Распределение Бозе-Эйнштейна

B.   Раннее напряжение

C.   Металлический перекресток

D.   Скручивание эффекта зала

A.   Он был растоплен и перемешан.

B.   Примеси были добавлены, чтобы сделать его менее проводящим.

D.   У него были удалены все его примеси.

B.   Дублировать полупроводник

C.   Оксигенит полупроводник

D.   Очищает полупроводник

A.   Да. Все полупроводники встречаются в песчаных карьерах.

C.   Да.

D.   Да. Чем чирнее, тем лучше.

B.   Schottky & De Forest

C.   Левая и правая

D.   Внутренний и внешний

A.   отрезать частоту

B.   Соответствующая частота

D.   Частота настройки

A.   Miller ' S

B.   Marleau ' S

D.   Marchand ' s

A.   Источник, ворота, сигнал и тело.

B.   Песок, ворота, дренаж и тело.

C.   Источник, но и, и, или.

A.   Чтобы увеличить фокус линии

C.   Чтобы сократить время ответа

D.   Чтобы уменьшить накопление карбоната кальция

A.   Резистивный и проводящий

B.   Гамма и Дельта

C.   Фотон и фонон

A.   Резисторы

B.   Электрон

D.   Транзистор

A.   Половина дирижера.

B.   Дирижер, который не работает очень хорошо.

D.   Две половинки дирижера.

A.   N-N-N и P-N-P.

B.   N-P-R, U-P-N

D.   N-P-N и P-N-N-P.

A.   Пенс

B.   МТТ

C.   Норм

A.   Они не важны.

B.   Они большие и долговечные.

D.   Они заменили кремний.

B.   Напряжение, ток и удельное сопротивление

C.   Эмиттер, коллекционер и база

D.   Легирующая, акцептор и донор

A.   Изготовление

B.   Вставка

C.   Фотолитография

A.   Таяние.

B.   Трещины.

D.   Проводя.

A.   Биметаллический Дженнингс Транзистор

B.   Назад оправданный транзистор

C.   Бор совместный транзистор

A.   Соль.

C.   Стекло.

D.   Резина.

A.   Легкое устройство выброса

B.   Светлый электромагнитный диод

D.   Светлое электронное устройство

B.   Внутренний транзистор на базе Германия

C.   Инертный двунаправленный транзистор

D.   Йод графит бор транзистор

B.   бозон

A.   Полупроводник, сделанный из трех частей одного элемента в пять частей другого элемента

C.   Полупроводник с полосами проводимости при 3 эВ и 5 эВ

A.   N-тип полупроводник.

B.   Борский транзистор.

C.   Борская реакция транзистор.

B.   Ом.

C.   Функция Riemann Zeta и преобразование Фурье

D.   Bose-Einstein Distribution & Bessel Functions

A.   Туннелирование

B.   Спонтанное излучение

C.   Инициализация

B.   Генерация рекомбинации, разногласия, диффузия

C.   Расположение, дрейф, генерация рекомбинации

D.   Дрейф, диффузия, разногласия

A.   Бед

B.   Скрипт

C.   Триак

B.   Их снаружи.

C.   Их центр.

D.   Их слои.

A.   Фотон-фонона

C.   Магнитный монополь

D.   Резонанс Bandgap

B.   фонона частота

C.   Эффективная масса электронов

D.   проницаемость

A.   Потенциал

C.   Проводимость

D.   Власть

A.   Ферми Энергия

B.   Статистика Дирака

D.   Уровень Фермиона

B.   Химическое осаждение паров (сердечно -сосудистые заболевания)

C.   Мемс

D.   Распыление

A.   полуминорная ось эллипса

C.   крупный аккорд

D.   незначительная ось эллипса

B.   Он проводит как металл

C.   Уровень его Ферми почти равен его энергии проводимости или валентной полосы

D.   Он очень легирован

A.   Металлические транзисторы

B.   Память тиристоры

C.   Металлические резисторы

A.   Л

C.   Т

D.   р

A.   Транзисторы

B.   Индукторы

C.   Диоды

A.   17%

C.   52%

D.   21%

B.   Кадмий, индий, германия, сера

C.   Медь, индий, галлия, серебро

D.   Углерод, йод, Германия, Сера

A.   1,12 эВ

C.   15 эВ

D.   137 МэВ

B.   Группа V.

C.   Группа III

D.   Группа VI

A.   Потрясающий

B.   Чип -магазин

C.   Полупроводниковая производственная установка (SPF)

D.   ПЛАТНАЯ ЗАНИста

B.   1,41 эВ

C.   2,83 эВ

D.   0,79 эВ

A.   Германия

C.   Карбид кремния

D.   Кремний