Полупроводники вопросы на русском языке
Полупроводники вопросы на русском языке
Эти вопросы с несколькими вариантами ответов по полупроводникам и ответы на них помогут вам лучше понять тему полупроводников. Вы можете подготовиться к предстоящему экзамену или собеседованию с этими более чем 100 MCQ компании Semiconductors.
Так что прокрутите вниз и начните отвечать.
1: Что делают диоды?
A. Поток открытого тока во всех направлениях
B. Блок тока в одном направлении, позволяя току течь в другом направлении.
C. Поток закрытия во всех направлениях
2: Что является единственной легирующей приставной P-типа, используемой в производстве кремниевых устройств?
A. Сурьма
B. Фосфор
C. Мышьяк
D. Бор
3: Какая математическая формула наиболее точно предсказывает уровень Ферми полупроводника?
A. Распределение Ферми-дирака
B. Maxwell-Boltzmann Distribution
C. Распределение Бозе-Эйнштейна
4: Диоды и большинство фотоэлектрических клеток содержат какую особенность?
A. П-н-соединение
B. Раннее напряжение
C. Металлический перекресток
D. Скручивание эффекта зала
5: Когда это значит кремний, легирован, что это значит?
A. Он был растоплен и перемешан.
B. Примеси были добавлены, чтобы сделать его менее проводящим.
C. Примеси были добавлены, которые изменяют его электронные свойства контролируемым образом.
D. У него были удалены все его примеси.
6: Что делает допинг ' делать?
A. Изменяет поведение полупроводника
B. Дублировать полупроводник
C. Оксигенит полупроводник
D. Очищает полупроводник
7: Можно ли использовать только чистый кремний для получения полупроводника?
A. Да. Все полупроводники встречаются в песчаных карьерах.
B. Нет. Необходимы примеси, чтобы стать полупроводящими.
C. Да.
D. Да. Чем чирнее, тем лучше.
8: Каковы два основных типа примесей используются в допинге полупроводника?
A. N-тип и P-тип
B. Schottky & De Forest
C. Левая и правая
D. Внутренний и внешний
9: На какой частоте емкостное реактивное сопротивление равна индуктивному реактивному сопротивлению?
A. отрезать частоту
B. Соответствующая частота
C. Резонансная частота
D. Частота настройки
10: Какой закон предсказывает будущее интегрированных цепей?
A. Miller ' S
B. Marleau ' S
C. Мур ' S
D. Marchand ' s
11: Каковы четыре терминала транзистора FET?
A. Источник, ворота, сигнал и тело.
B. Песок, ворота, дренаж и тело.
C. Источник, но и, и, или.
D. Источник, ворота, слив и тело.
12: Какова причина снижения допинга дренажа в конструкции полупроводникового устройства металла?
A. Чтобы увеличить фокус линии
B. Чтобы улучшить напряжение сбоя
C. Чтобы сократить время ответа
D. Чтобы уменьшить накопление карбоната кальция
13: Какие две полосы могут проживать электрон?
A. Резистивный и проводящий
B. Гамма и Дельта
C. Фотон и фонон
D. Валентность и проводимость
14: Какое самое простое полупроводниковое устройство?
A. Резисторы
B. Электрон
C. Диод
D. Транзистор
15: Что такое полупроводник?
A. Половина дирижера.
B. Дирижер, который не работает очень хорошо.
C. Комбинация проводящего материала и изолятора.
D. Две половинки дирижера.
16: Что такое общая схема электрической полярности в транзисторе MOSFET?
A. N-N-N и P-N-P.
B. N-P-R, U-P-N
C. N-P-N и P-N-P.
D. N-P-N и P-N-N-P.
17: Что из следующего является типом транзистора?
A. Пенс
B. МТТ
C. Норм
D. Bjt
18: Почему полупроводники важны?
A. Они не важны.
B. Они большие и долговечные.
C. Они успешно заменили вакуумные трубки в качестве основного способа вычисления данных.
D. Они заменили кремний.
19: Каковы компоненты MOSFET?
A. Источник, слив и ворота
B. Напряжение, ток и удельное сопротивление
C. Эмиттер, коллекционер и база
D. Легирующая, акцептор и донор
20: Процесс преднамеренного добавления примесей для влияния на проводимость называется:
A. Изготовление
B. Вставка
C. Фотолитография
D. Допинг
21: При вливании примесей в кремний для создания полупроводника, как называется этот процесс?
A. Таяние.
B. Трещины.
C. Допинг.
D. Проводя.
22: Что означает BJT?
A. Биметаллический Дженнингс Транзистор
B. Назад оправданный транзистор
C. Бор совместный транзистор
D. Биполярное соединение транзистор
23: Что из полупроводников сделаны в первую очередь?
A. Соль.
B. Кремний.
C. Стекло.
D. Резина.
24: Что означает светодиод?
A. Легкое устройство выброса
B. Светлый электромагнитный диод
C. Светодиод
D. Светлое электронное устройство
25: Что означает аббревиатура IGBT?
A. Изолированное биполярное транзистор.
B. Внутренний транзистор на базе Германия
C. Инертный двунаправленный транзистор
D. Йод графит бор транзистор
26: Электрон - это _____
A. Фермион
B. бозон
27: Что такое полупроводник III-V?
A. Полупроводник, сделанный из трех частей одного элемента в пять частей другого элемента
B. Полупроводник, сделанный из элементов в столбцах III и V периодической таблицы
C. Полупроводник с полосами проводимости при 3 эВ и 5 эВ
28: Какой тип полупроводника вы получаете, если у вас повешивает бор?
A. N-тип полупроводник.
B. Борский транзистор.
C. Борская реакция транзистор.
D. P-тип полупроводник.
29: Какие две формулы определяют распределение носителей полупроводника?
A. Распределение Ферми-Дирака и плотность состояний
B. Ом.
C. Функция Riemann Zeta и преобразование Фурье
D. Bose-Einstein Distribution & Bessel Functions
30: Процесс, с помощью которого электроны и отверстия аннигиляции называются:
A. Туннелирование
B. Спонтанное излучение
C. Инициализация
D. Рекомбинация
31: Какие три основных типа действий носителя происходят внутри полупроводника?
A. Дрейф, диффузия, генерация рекомбинации
B. Генерация рекомбинации, разногласия, диффузия
C. Расположение, дрейф, генерация рекомбинации
D. Дрейф, диффузия, разногласия
32: Что из следующего является устройством, управляемого напряжением?
A. Бед
B. Скрипт
C. Триак
D. МОСФЕТ
33: Где можно добавить допинг в полупроводнике, чтобы изменить их проводимость?
A. Их хрустальная решетка.
B. Их снаружи.
C. Их центр.
D. Их слои.
34: Что такое экситон?
A. Фотон-фонона
B. Электронно-хол-пара
C. Магнитный монополь
D. Резонанс Bandgap
35: Длина волны света, излучаемая светодиодом, определяется его:
A. Bandgap
B. фонона частота
C. Эффективная масса электронов
D. проницаемость
36: Электрон-вольт является единицей:
A. Потенциал
B. Энергия
C. Проводимость
D. Власть
37: Какая концепция описывает химический потенциал полупроводника?
A. Ферми Энергия
B. Статистика Дирака
C. Уровень Ферми
D. Уровень Фермиона
38: Какой метод обычно используется для схемы полупроводников?
A. Фотолитография
B. Химическое осаждение паров (сердечно -сосудистые заболевания)
C. Мемс
D. Распыление
39: В эллипсометрии азимут - это угол между _______ и плоскостью падения.
A. полуминорная ось эллипса
B. Основная ось эллипса
C. крупный аккорд
D. незначительная ось эллипса
40: Какую из следующих характеристик имеет вырожденный полупроводник?
A. Все это характеристики вырожденного полупроводника
B. Он проводит как металл
C. Уровень его Ферми почти равен его энергии проводимости или валентной полосы
D. Он очень легирован
41: Мемристоры также известны как _________.
A. Металлические транзисторы
B. Память тиристоры
C. Металлические резисторы
D. Резисторы памяти
42: На плате, какая буква обычно отмечает транзистор?
A. Л
B. Q
C. Т
D. р
43: Какие устройства обычно используются для управления объемом в электронике?
A. Транзисторы
B. Индукторы
C. Диоды
D. Резисторы
44: Какова максимальная теоретическая эффективность для солнечной батареи кремниевой батареи с одним соединением?
A. 17%
B. 33%
C. 52%
D. 21%
45: Каковы четыре элемента в CIGS?
A. Медь, индий, галлия, селен
B. Кадмий, индий, германия, сера
C. Медь, индий, галлия, серебро
D. Углерод, йод, Германия, Сера
46: Каково значение KT при комнатной температуре?
A. 1,12 эВ
B. 25,6 МэВ
C. 15 эВ
D. 137 МэВ
47: Какой тип элемента наиболее широко используется для изготовления полупроводниковых устройств?
A. Группа IV
B. Группа V.
C. Группа III
D. Группа VI
48: Каков термин для производственного завода для полупроводниковых устройств?
A. Потрясающий
B. Чип -магазин
C. Полупроводниковая производственная установка (SPF)
D. ПЛАТНАЯ ЗАНИста
49: Что такое ленточная зона кремния?
A. 1,12 эВ
B. 1,41 эВ
C. 2,83 эВ
D. 0,79 эВ
50: В каком полупроводнике есть прямая полосатая версия?
A. Германия
B. Арсенид галлия
C. Карбид кремния
D. Кремний
51: Что происходит с электронами, чтобы заставить полупроводник получить электрическую проводимость?
A. Они были делокализованы.
B. Они были ускорены.
C. Они были бомбардированы.
D. Они окружены нейтрино.
52: Из чего был сделан первый транзистор?
A. Кремний
B. Арсенид галлия
C. Германия
D. Алюминиевый арсенид
53: Что из них является распространенным методом для производства однокристаллического кремния?
A. Кристаллический катал-катал-никель-палладий
B. Кристализация Шоттки
C. Czochralski Process
D. Химическое осаждение пара
54: Пространство на пластине между матрицей называется (n):
A. Линия писца
B. Клей
C. Hexode
D. Маска
55: На графике концентрации носителя в зависимости от температуры, какой из них не отдельная область?
A. Внешний
B. Внутренний
C. Заморозить
D. Растопить
56: Какова традиционная единица объема в полупроводнике?
A. нм^3
B. мм^3
C. M^3
D. cm^3
57: Правда или ложь? Чистый Si имеет низкое электрическое удельное сопротивление при комнатной температуре
A. Истинный
B. ЛОЖЬ
58: Какое утверждение верно в отношении эффекта Zener?
A. Он освобождает большое количество бесплатных носителей большинства
B. Ничего из этого
C. Он состоит из электрического расщепления в прямом предвзятом диоде P-N
D. Все из этого
E. Это происходит в сильно легированных соединениях
59: Как называется режим, в котором транзисторы проходят ток?
A. Накопление
B. Проводимость
C. Инверсия
D. Истощение
60: Что заставляет частицы диффундировать из областей более высокой концентрации в области более низкой концентрации?
A. Электронная плотность
B. Магнитная ориентация
C. Тепловое движение
D. Синтетический осмос
61: Какая частица обычно несет больше всего импульса?
A. Фотон
B. Фонон
62: Материал P-типа _____.
A. положительно заряжен
B. отрицательно заряженный
C. электрически нейтрален
D. ни один из вышеперечисленных
63:
Согласно критерию Barkhausen для осцилляторов _______.
A. <p> Aβ <1 </p>
B. <p> Aβ> 1 </p>
C. <p> aβ = 1 </p>
D. <p> Aβ ≤ 1 </p>
64: Если обратное смещение на воротах FET увеличивается, ширина проводящего канала будет _____.
A. увеличивать
B. снижаться
C. Остаются неизменными
65: FET имеет следующие параметры IDSS = 32MA, VGS (OFF) = -8V, VGS = -4,5 В. Каким будет ток слива?
A. 5,2 мА
B. 6,12 мА
C. 7,03 мА
D. 7,45 мА
66: Для хорошей стабилизации рабочей точки в смещении делителя напряжения ток I, протекающий через потенциальные разделители R1 и R2, должен быть равен или больше _____. (IB-базовый ток)
A. 2ib
B. 10ib
C. 4ib
D. IB/2
67: Если в транзисторе, т.е. = 10,5 мА, IC = 10MA, значение β будет _____.
A. 0,2
B. 200
C. 100
D. 20
68: Триак может пройти часть _____.
A. положительный наполовину цикл через нагрузку
B. Отрицательный полуцикл по нагрузке
C. как положительные, так и отрицательные полуциклы через нагрузку
D. Ни один из вышеперечисленных
69: Поставка A.C 230 В применяется к схеме выпрямителя полуволны через трансформатор коэффициента поворота 10: 1. Его выходной выход D.C будет _____.
A. 5 В
B. 12 В
C. 10,36 В
D. 5,18 В.
70: Вакуумная трубка проводит ток _____.
A. от катода до анода
B. от анода до катода
C. В обоих вышеупомянутых направлениях
D. поочередно в обоих направлениях
71: Если схема полнополосового выпрямителя с конденсатором использует нагрузку RL = 100 Ом и C = 1050 мкф, а частота составляет 50 Гц, каким будет коэффициент волны?
A. 40%
B. 30%
C. 22%
D. 27%
72: Диод вактора может функционировать как вариант конденсатора с предвзятостью ________.
A. очень небольшой
B. умеренный
C. тяжелый
73: Радиочастоты имеют свой диапазон выше _____.
A. 20 кГц
B. 50 кГц
C. 100 кГц
D. 200 кГц
74: В смещении обратной связи коллекционера β = 57, RC = 1 кОм, IB = 60 мкА и VCB = 4,5 В. Значение коэффициента стабильности будет _____.
A. 30.4
B. 32,9
C. 57
D. 4.5
75: В режиме улучшения (MOSFET) проводимость увеличивается _____.
A. с уменьшением положительного напряжения затвора
B. с увеличением положительного напряжения затвора
C. с уменьшением отрицательного напряжения затвора
D. с увеличением напряжения отрицательного затвора
76: Трехступенчатый усилитель имеет усиление напряжения первой стадии 100, увеличение напряжения второго этапа 200 и усиление третьего этапа 400. Общее усиление напряжения в ББ будет _____.
A. 130 дБ
B. 140 дБ
C. 132 дБ
D. 138 дБ
77: На параллельном резонансе настроенная схема предлагает импеданс _____.
A. C/LR
B. R/LC
C. L/cr
D. 2l/cr
78: SCR является твердым состоянием эквивалентом _____.
A. триод
B. пентод
C. тиратрон
D. диод
79: В Д.С. Эквивалентная схема транзисторного усилителя, конденсаторы считаются _____.
A. Открыть
B. Короткий
C. Иногда открытый, а иногда и короткий
D. Без изменений
80: Максимальная эффективность полного волнового выпрямителя составляет _____.
A. 40%
B. 81,2%
C. 90%
D. 99%
81: Если напряжение питания коллекционера составляет 10 В, коллекционер сокращает напряжение в условиях D.C, будет _____.
A. 5 В
B. 10 В
C. 20 В
D. 30 В
82: Если вход в интегрирующую схему является квадратной волной, вывод будет _____.
A. Треугольный
B. прямоугольный
C. Пил-зуб
D. шипо
83: Если в транзисторе, ic = 9,5 мА, то есть = 10ma, значение α будет _____.
A. 0,95
B. 10
C. 9.5
D. 0,095
84: В генераторе сдвига фазы R-C сеть R-C предназначена для введения фазового сдвига _____.
A. 300
B. 600
C. 900
D. 1800
85: Если вход в дифференцирующую схему является квадратной волной, вывод будет _____.
A. прямоугольный
B. шипа
C. Треугольный
D. синусоидальный
86: Для верного усиления VBE не должно падать ниже _____.
A. 0,9 В для транзисторов SI
B. 0,5 В для транзисторов SI
C. 0,3 В для транзисторов SI
D. 0,7 В для транзисторов SI
87: Для генератора сдвига R-C частота колебаний будет дана как _____.
A. fo = 1/2P√rc
B. fo = 1/2P√6rc
C. fo = 1/√2prc
D. fo = 2/√2prc
88: Обращенный смещенный переход P-N имеет сопротивление порядку _____.
A. Ω
B. Kom
C. МОм
D. МОм
89: Импеданс параллельной настроенной схемы на резонансе _____.
A. 0
B. низкий
C. очень высоко
D. очень низкий
90: Усилитель транзистора имеет 4 В, 2 мА в качестве рабочей точки. Для верного усиления ток коллекционера из -за только сигнала не должен превышать _____.
A. 2ma
B. 1MA
C. 4 мА
D. 8 мА
91: Миллиамметр D.C, подключенный к полуволновому выпрямлению, поставляющему максимальный ток 10 мА, будет читать _____.
A. 10 мА
B. 20 мА
C. 5 мА
D. 3,18 мА
92: SCR объединяет особенности _____.
A. выпрямитель и усилитель
B. выпрямитель и транзистор
C. выпрямитель и генератор
D. выпрямитель и инвертор
93: Хартли генератор _____.
A. RC генератор
B. Осциллятор LC
C. Хрустальный генератор
94: Если в транзисторе VCB = 4V, VBE = 0,7 В, VCE будет равным _____.
A. 4,7 В
B. 5,4 В.
C. 3,3 В.
D. 0,7 В.
95: Входные и выходные напряжения транзисторного усилителя CE составляют _____.
A. в фазе
B. 90 ° вне фазы
C. 180 ° вне фазы
D. 120 ° вне фазы
96: FET имеет ________ температурный коэффициент сопротивления.
A. 0
B. положительный
C. отрицательный
97: AN: FET - это _____.
A. Биполярное устройство
B. Триполярное устройство
C. Униполярное устройство
98: Дополнительные MOS (CMOS) использует _____.
A. Только n-канальные устройства в схеме
B. Только P-канальные устройства в цепи
C. Устройства канала N и P в цепи
D. Ни один из вышеперечисленных
99: Нагрузка на 3 Ом связана с усилителем транзистора через понижающий трансформатор. Если сопротивление D.C первичной обмотки составляет 300 Ом, а выходной сопротивление усилителя составляет 3 кОм, каким должно быть соотношение поворота для передачи максимальной мощности?
A. Np/ns = 40
B. Np/ns = 20
C. Np/ns = 30
D. Np/ns = 10
100: Идеальное значение коэффициента стабильности - _____.
A. 0
B. 10
C. 1
D. 100
List of Полупроводн...
Available in:
Semiconductors MCQs
Полупроводники вопросы на русском языке
Preguntas sobre semiconductores en español
日本語での半導体に関する質問
Domande sui semiconduttori in lingua italiana
Questions sur les semi-conducteurs en langues françaises
Questões de semicondutores em línguas portuguesas
Fragen zu Halbleitern in deutschen Sprachen
中文（简体）语言的半导体问题
أسئلة حول أشباه الموصلات باللغات العربية
Soal semikonduktor dalam bahasa indonesia
Türkçe dillerinde yarı iletkenler soruları
