Soal semikonduktor dalam bahasa indonesia
Soal semikonduktor dalam bahasa indonesia
Pertanyaan dan jawaban semikonduktor pilihan ganda ini akan membantu Anda untuk lebih memahami topik semikonduktor. Bersiaplah untuk ujian atau wawancara Anda berikutnya dengan lebih dari 100 soal pilihan ganda semikonduktor.
Gulir ke bawah untuk memulai dengan jawabannya.
1: Apa yang dilakukan dioda?
A. Buka Aliran Arus Untuk Segala Mata
B. Blokir arus dalam satu arah sambil membiarkan arus mengalir ke arah lain.
C. Tutup arus arus di segala arah
2: Apa satu-satunya dopan tipe-P yang digunakan dalam pembuatan perangkat silikon?
A. Antimon
B. Fosfor
C. Arsenik
D. Boron
3: Formula matematika apa yang paling akurat memprediksi tingkat Fermi dari semikonduktor?
A. Distribusi Fermi-Dirac
B. Distribusi Maxwell-Boltzmann
C. Distribusi Bose-Einstein
4: Dioda dan sebagian besar sel fotovoltaik mengandung fitur mana?
A. A P-N Junction
B. Tegangan awal
C. Persimpangan logam-insulator-logam
D. Persimpangan efek aula
5: Ketika silikon telah didoping, apa artinya ini?
A. Telah meleleh dan diaduk.
B. Kotoran telah ditambahkan untuk membuatnya kurang konduktif.
C. Kotoran telah ditambahkan yang mengubah sifat elektroniknya dengan cara yang dapat dikendalikan.
D. Itu telah menghilangkan semua kotorannya.
6: Apa yang dilakukan ' doping ' Mengerjakan?
A. Mengubah perilaku semikonduktor
B. Duplikat semikonduktor
C. Oksigenasi semikonduktor
D. Memurnikan semikonduktor
7: Bisakah silikon murni saja digunakan untuk membuat semikonduktor?
A. Ya. Semua semikonduktor ditemukan di tambang pasir.
B. Tidak. Dibutuhkan kotoran untuk menjadi semi-konduktif.
C. Ya.
D. Ya. Semakin murni, semakin baik.
8: Apa dua jenis dasar pengotor yang digunakan dalam doping semikonduktor?
A. N-type & p-type
B. Schottky & De Forest
C. Tangan kiri & kidal
D. Intrinsik ekstrinsik
9: Pada frekuensi mana, reaktansi kapasitif sama dengan reaktansi induktif?
A. Potong frekuensi
B. Frekuensi pencocokan
C. Frekuensi resonansi
D. Frekuensi tunning
10: Undang -undang apa yang memprediksi masa depan sirkuit terintegrasi?
A. Miller
B. Marleau
C. Moore
D. Marchand
11: Apa empat terminal transistor FET?
A. Sumber, Gerbang, Sinyal, dan Tubuh.
B. Pasir, gerbang, tiriskan, dan tubuh.
C. Sumber, Nor, dan, dan atau.
D. Sumber, gerbang, tiriskan, dan tubuh.
12: Apa alasan mengurangi doping pembuangan dalam desain perangkat semikonduktor logam-oksida?
A. Untuk meningkatkan fokus garis
B. Untuk meningkatkan tegangan kerusakan
C. Untuk mengurangi waktu respons langkah
D. Untuk mengurangi penumpukan kalsium karbonat
13: Apa dua band di mana elektron dapat tinggal?
A. Resistif dan konduktif
B. Gamma dan Delta
C. Photon dan Phonon
D. Valensi dan konduksi
14: Apa perangkat semikonduktor paling sederhana?
A. Resistor
B. Elektron
C. Dioda
D. Transistor
15: Apa itu semikonduktor?
A. Setengah konduktor.
B. Konduktor yang tidak bekerja dengan sangat baik.
C. Kombinasi bahan konduktif, dan isolator.
D. Dua bagian konduktor.
16: Apa skema umum polaritas listrik dalam transistor MOSFET?
A. N-N-N-N, dan P-N-P.
B. N-P-R, U-P-N
C. N-P-N, dan P-N-P.
D. N-P-N, dan P-N-N-P.
17: Manakah dari berikut ini yang merupakan jenis transistor?
A. Pset
B. Mtt
C. Nrt
D. Bjt
18: Mengapa semikonduktor penting?
A. Mereka tidak penting.
B. Mereka besar dan tahan lama.
C. Mereka berhasil mengganti tabung vakum sebagai cara utama untuk menghitung data.
D. Mereka menggantikan silikon.
19: Apa komponen MOSFET?
A. Sumber, Tiriskan, dan Gerbang
B. Tegangan, arus, dan resistivitas
C. Emitor, kolektor, dan basis
D. Dopant, akseptor, dan donor
20: Proses dengan sengaja menambahkan kotoran untuk mempengaruhi konduktivitas disebut:
A. Pembuatan
B. Insersi
C. Photolithography
D. Doping
21: Saat menanamkan kotoran ke dalam silikon untuk membuat semikonduktor, apa yang disebut proses ini?
A. Meleleh.
B. Retak.
C. Doping.
D. Melakukan.
22: Untuk apa BJT berdiri?
A. Transistor Jennings Bimetallic
B. Kembali Transistor yang dibenarkan
C. Transistor Bersama Boron
D. Transistor persimpangan bipolar
23: Apa yang dibuat semikonduktor terutama?
A. Garam.
B. Silikon.
C. Kaca.
D. Karet.
24: Untuk apa LED berdiri?
A. Perangkat emisi ringan
B. Dioda elektromagnetik ringan
C. Dioda pemancar cahaya
D. Perangkat elektron ringan
25: Untuk apa akronim IGBT?
A. Transistor bipolar gerbang terisolasi.
B. Transistor berbasis germanium intrinsik
C. Transistor dua arah gerbang inert
D. Transistor boron grafit yodium
26: Elektron adalah _____
A. Fermion
B. Boson
27: Apa itu III-V Semiconductor?
A. Semikonduktor yang terbuat dari tiga bagian dari satu elemen hingga lima bagian dari elemen lain
B. Semikonduktor yang terbuat dari elemen dalam kolom III dan v dari tabel periodik
C. Semikonduktor dengan pita konduksi pada 3 eV dan 5 eV
28: Jenis semikonduktor apa yang Anda dapatkan jika Anda menghantamnya dengan boron?
A. Semikonduktor tipe-n.
B. Transistor boronik.
C. Transistor reaksi borik.
D. Semikonduktor tipe-p.
29: Dua formula mana yang menentukan distribusi pembawa semikonduktor?
A. Distribusi & Kepadatan Fermi-Dirac
B. HUKUM HUKUM OHM & KIRCHHOFF saat ini
C. Fungsi Riemann Zeta & Transformasi Fourier
D. Fungsi Distribusi Bose-Einstein & Bessel
30: Proses dimana elektron dan lubang dimusnahkan disebut:
A. Terowongan
B. Emisi spontan
C. Inisialisasi
D. Rekombinasi
31: Apa tiga jenis aksi pembawa utama yang terjadi di dalam semikonduktor?
A. Melayang, difusi, rekombinasi-generasi
B. Rekombinasi-generasi, pertikaian, difusi
C. Pertikaian, penyimpangan, generasi rekombinasi
D. Melayang, difusi, pertikaian
32: Manakah dari berikut ini yang merupakan perangkat yang dikendalikan tegangan?
A. BJT
B. Scr
C. Triac
D. MOSFET
33: Di mana doping harus ditambahkan dalam semikonduktor untuk mengubah konduktivitas mereka?
A. Kisi kristal mereka.
B. Di luar mereka.
C. Pusat mereka.
D. Lapisan mereka.
34: Apa itu Exciton?
A. Pasangan foton-fonon
B. Pasangan lubang elektron
C. Monopole magnetik
D. Resonansi celah pita
35: Panjang gelombang cahaya yang dipancarkan oleh LED ditentukan olehnya:
A. celah pita
B. frekuensi fonon
C. massa efektif elektron
D. izin
36: Volt elektron adalah unit dari:
A. Potensi
B. Energi
C. Daya konduksi
D. Kekuatan
37: Konsep mana yang menggambarkan potensi kimia dari semikonduktor?
A. Energi Fermi
B. Statistik Dirac
C. Level fermi
D. Level Fermion
38: Teknik apa yang biasa digunakan untuk pola semikonduktor?
A. Photolithography
B. Deposisi Uap Kimia (CVD)
C. Mems
D. Sputtering
39: Dalam ellipsometry, azimuth adalah sudut antara _______ dan bidang kejadian.
A. Sumbu semi-minor elips
B. Sumbu utama dari elips
C. akord utama
D. Sumbu kecil elips
40: Semikonduktor yang merosot memiliki karakteristik berikut?
A. Semua ini adalah karakteristik dari semikonduktor degenerasi
B. Itu melakukan seperti logam
C. Tingkat Fermi hampir sama dengan energi konduksi atau pita valensi
D. Itu sangat doping
41: Memristor juga dikenal sebagai _________.
A. Transistor logam
B. Memori Thyristors
C. Resistor logam
D. Resistor memori
42: Di papan sirkuit, surat apa yang biasanya menandai transistor?
A. L
B. Q
C. T
D. R
43: Perangkat apa yang biasanya digunakan untuk mengontrol volume dalam elektronik?
A. Transistor
B. Induktor
C. Dioda
D. Resistor
44: Berapa efisiensi teoritis maksimum untuk sel surya silikon persimpangan tunggal?
A. 17%
B. 33%
C. 52%
D. 21%
45: Apa empat elemen dalam cigs?
A. Tembaga, Indium, Gallium, Selenium
B. Kadmium, indium, germanium, belerang
C. Tembaga, indium, gallium, perak
D. Karbon, yodium, germanium, belerang
46: Berapa nilai KT pada suhu kamar?
A. 1.12 eV
B. 25.6 Mev
C. 15 EV
D. 137 Mev
47: Jenis elemen mana yang paling banyak digunakan untuk pembuatan perangkat semikonduktor?
A. Grup IV
B. Grup V.
C. Grup III
D. Grup VI
48: Apa istilah untuk pabrik manufaktur perangkat semikonduktor?
A. Luar biasa
B. Toko keripik
C. Fasilitas Produksi Semikonduktor (SPF)
D. Tanaman piring
49: Apa celah pita silikon?
A. 1.12 EV
B. 1.41 EV
C. 2.83 EV
D. 0.79 eV
50: Semikonduktor mana yang memiliki celah pita langsung?
A. Germanium
B. Gallium arsenide
C. Silikon karbida
D. Silikon
51: Apa yang terjadi pada elektron untuk menyebabkan semikonduktor mendapatkan konduktivitas listrik?
A. Mereka telah didelokalisasi.
B. Mereka telah dipercepat.
C. Mereka telah dibombardir.
D. Mereka dikelilingi oleh neutrino.
52: Terbuat dari apa transistor pertama?
A. Silikon
B. Gallium arsenide
C. Germanium
D. Aluminium arsenide
53: Manakah dari berikut ini yang merupakan metode umum untuk memproduksi silikon kristal tunggal?
A. Katalisis kristal nikel-Palladium
B. Kristalisasi Schottky
C. Proses Czochralski
D. Deposisi Uap Kimia
54: Ruang pada wafer antara mati disebut (n):
A. Garis juru tulis
B. Perekat
C. Hexode
D. Masker
55: Dalam plot konsentrasi pembawa versus suhu, manakah dari ini bukan daerah yang berbeda?
A. Ekstrinsik
B. Hakiki
C. Mendepak keluar
D. Meleleh di
56: Apa unit volume konvensional dalam rekayasa semikonduktor?
A. nm^3
B. mm^3
C. M^3
D. cm^3
57: Benar atau salah? Si murni memiliki resistivitas listrik rendah pada suhu kamar
A. BENAR
B. PALSU
58: Pernyataan mana yang benar tentang efek zener?
A. Itu membebaskan sejumlah besar pembawa mayoritas gratis
B. Tak ada satupun
C. Ini terdiri dari kerusakan listrik pada dioda P-N yang bias maju
D. Semua ini
E. Itu terjadi di persimpangan yang sangat doping
59: Apa nama rezim di mana transistor melewati arus?
A. Akumulasi
B. Konduksi
C. Inversi
D. Penipisan
60: Apa yang menyebabkan partikel tersebar dari daerah konsentrasi yang lebih tinggi ke daerah konsentrasi yang lebih rendah?
A. Kepadatan elektron
B. Orientasi magnetik
C. Gerakan termal
D. Osmosis sintetis
61: Partikel mana yang umumnya membawa momentum terbanyak?
A. Foton
B. Fonon
62: Bahan tipe-p adalah _____.
A. Dibebankan secara positif
B. bermuatan negatif
C. netral elektrik
D. bukan dari salah satu di atas
63:
Menurut kriteria Barkhausen untuk osilator _______.
A - Open Loop Gain
β - Faktor Back Back
A. <p> Aβ <1 </p>
B. <p> Aβ> 1 </p>
C. <p> Aβ = 1 </p>
D. <p> Aβ ≤ 1 </p>
64: Jika bias terbalik di gerbang FET meningkat, lebar saluran konduktor akan _____.
A. meningkatkan
B. mengurangi
C. tetap konstan
65: FET memiliki parameter berikut IDSS = 32MA, VGS (OFF) = -8V, VGS = -4.5V. Apa yang akan menjadi arus pembuangan?
A. 5.2 Ma
B. 6.12 ma
C. 7.03 Ma
D. 7.45 Ma
66: Untuk stabilisasi yang baik dari titik operasi dalam bias pembagi tegangan, arus I, mengalir melalui pembagi potensial R1 dan R2, harus sama dengan atau lebih besar dari _____. (IB-Base Current)
A. 2ib
B. 10Ib
C. 4ib
D. IB/2
67: Jika dalam transistor IE = 10.5mA, IC = 10mA, nilai β akan menjadi _____.
A. 0.2
B. 200
C. 100
D. 20
68: TRIAC dapat melewati sebagian dari _____.
A. setengah siklus positif melalui beban
B. setengah siklus negatif melalui beban
C. Siklus setengah positif dan negatif melalui beban
D. Bukan dari salah satu di atas
69: Suplai A.C 230V diterapkan pada sirkuit penyearah setengah gelombang melalui transformator rasio turn 10: 1. Output tegangan D.C akan menjadi _____.
A. 5v
B. 12v
C. 10.36v
D. 5.18v
70: Tabung vakum melakukan _____ saat ini.
A. dari katoda ke anoda
B. dari anoda ke katoda
C. di kedua arah di atas
D. secara bergantian di kedua arah
71: Jika sirkuit penyearah yang disadap di tengah gelombang penuh dengan filter kapasitor menggunakan beban RL = 100Ω, dan C = 1050μF dan frekuensinya 50Hz, apa faktor riak?
A. 40%
B. 30%
C. 22%
D. 27%
72: Dioda varactor dapat berfungsi sebagai kapasitor variabel dengan bias ke depan A________.
A. sangat sedikit
B. sedang
C. berat
73: Frekuensi radio memiliki jangkauannya di atas _____.
A. 20kHz
B. 50kHz
C. 100kHz
D. 200khz
74: Dalam biasing umpan balik kolektor, β = 57, rc = 1 kΩ, IB = 60μA dan VCB = 4.5V. Nilai faktor stabilitas adalah _____.
A. 30.4
B. 32.9
C. 57
D. 4.5
75: Dalam mode peningkatan (MOSFET), konduktivitas meningkat _____.
A. dengan penurunan tegangan gerbang positif
B. dengan peningkatan tegangan gerbang positif
C. dengan penurunan tegangan gerbang negatif
D. dengan peningkatan tegangan gerbang negatif
76: Penguat tiga tahap memiliki gain tegangan tahap pertama 100, gain tegangan tahap kedua 200 dan gain tahap ketiga 400. Total gain tegangan dalam DB akan menjadi _____.
A. 130 dB
B. 140 dB
C. 132 dB
D. 138 db
77: Pada resonansi paralel, sirkuit yang disetel menawarkan impedansi _____.
A. C/LR
B. R/lc
C. L/cr
D. 2l/cr
78: SCR adalah keadaan padat yang setara dengan _____.
A. triode
B. pentoda
C. Thyratron
D. Dioda
79: Di D.C. Sirkuit setara dari penguat transistor, kapasitor dianggap sebagai _____.
A. Membuka
B. Pendek
C. Terkadang terbuka dan terkadang pendek
D. Tidak berubah
80: Efisiensi maksimum penyearah gelombang penuh adalah _____.
A. 40%
B. 81.2%
C. 90%
D. 99%
81: Jika tegangan suplai kolektor adalah 10V, kolektor memotong tegangan di bawah kondisi D.C akan _____.
A. 5v
B. 10V
C. 20V
D. 30v
82: Jika input ke sirkuit integrasi adalah gelombang persegi, output akan _____.
A. segitiga
B. persegi panjang
C. gigi gergaji
D. berduri
83: Jika dalam transistor, IC = 9.5mA, IE = 10mA, nilai α akan menjadi _____.
A. 0,95
B. 10
C. 9.5
D. 0,095
84: Dalam osilator pergeseran fase R-C, jaringan R-C dirancang untuk memperkenalkan pergeseran fase _____.
A. 300
B. 600
C. 900
D. 1800
85: Jika input ke sirkuit yang berbeda adalah gelombang persegi, output akan _____.
A. persegi panjang
B. berduri
C. segitiga
D. Sinusoidal
86: Untuk amplifikasi yang setia, VBE tidak boleh jatuh di bawah _____.
A. 0.9V untuk transistor SI
B. 0.5V untuk transistor SI
C. 0.3V untuk transistor SI
D. 0.7V untuk transistor Si
87: Untuk osilator pergeseran fase R-C, frekuensi osilasi akan diberikan sebagai _____.
A. fo = 1/2
B. fo = 1/2 2п√6rc
C. fo = 1/√2пrc
D. fo = 2/√2пrc
88: Persimpangan P-N yang bias terbalik memiliki ketahanan terhadap urutan _____.
A. Ω
B. KΩ
C. MΩ
D. mΩ
89: Impedansi sirkuit yang disetel paralel pada resonansi adalah _____.
A. 0
B. rendah
C. sangat tinggi
D. sangat rendah
90: Penguat transistor memiliki 4V, 2MA sebagai titik operasi. Untuk amplifikasi yang setia, arus kolektor karena sinyal saja tidak boleh melebihi _____.
A. 2MA
B. 1mA
C. 4mA
D. 8mA
91: Milliammeter D.C yang terhubung ke penyearah setengah gelombang yang memasok arus maksimum 10mA akan dibaca _____.
A. 10 ma
B. 20 ma
C. 5 ma
D. 3.18 ma
92: SCR menggabungkan fitur_____.
A. penyearah dan penguat
B. Penyearah dan transistor
C. penyearah dan osilator
D. penyearah dan inverter
93: Hartley Oscillator adalah _____.
A. Osilator RC
B. osilator LC
C. osilator kristal
94: Jika dalam transistor VCB = 4V, VBE = 0,7V, VCE akan sama dengan _____.
A. 4.7V
B. 5.4v
C. 3.3v
D. 0.7v
95: Tegangan input dan output dari penguat transistor CE adalah _____.
A. Dalam fase
B. 90 ° dari fase
C. 180 ° dari fase
D. 120 ° dari fase
96: FET memiliki ________ suhu koefisien resistensi.
A. 0
B. positif
C. negatif
97: An: FET adalah _____.
A. perangkat bipolar
B. perangkat tripolar
C. Perangkat unipolar
98: Mos komplementer (CMOS) menggunakan _____.
A. Hanya perangkat N-saluran di sirkuit
B. Hanya perangkat P- saluran di sirkuit
C. Perangkat saluran N dan P di sirkuit
D. Bukan dari salah satu di atas
99: Beban 3-ohm digabungkan ke penguat transistor melalui transformator step-down. Jika resistansi D.C dari belitan primer adalah 300Ω dan resistansi output dari penguat adalah 3kΩ, apa yang harus menjadi rasio belokan untuk transfer daya maksimum?
A. Np/ns = 40
B. Np/ns = 20
C. Np/ns = 30
D. Np/ns = 10
100: Nilai ideal dari faktor stabilitas adalah _____.
A. 0
B. 10
C. 1
D. 100
List of Soal semikonduktor dal...
Available in:
Semiconductors MCQs
Полупроводники вопросы на русском языке
Preguntas sobre semiconductores en español
日本語での半導体に関する質問
Domande sui semiconduttori in lingua italiana
Questions sur les semi-conducteurs en langues françaises
Questões de semicondutores em línguas portuguesas
Fragen zu Halbleitern in deutschen Sprachen
中文（简体）语言的半导体问题
أسئلة حول أشباه الموصلات باللغات العربية
Soal semikonduktor dalam bahasa indonesia
Türkçe dillerinde yarı iletkenler soruları
