Preguntas sobre semiconductores en español
Preguntas sobre semiconductores en español
Estas preguntas y respuestas de opción múltiple sobre semiconductores lo ayudarán a comprender mejor el tema de los semiconductores. Puede prepararse para su próximo examen o entrevista con estos más de 100 MCQ de Semiconductores.
Así que desplácese hacia abajo y comience a responder.
1: ¿Qué hacen los diodos?
A. Abrir flujo de corriente para en todas las direcciones
B. Bloquee la corriente en una dirección mientras deja que la corriente fluya en otra dirección.
C. Cerrar el flujo de corriente en todas las direcciones
2: ¿Cuál es el único dopante de tipo P utilizado en la fabricación de dispositivos de silicio?
A. Antimonio
B. Fósforo
C. Arsénico
D. Borón
3: ¿Qué fórmula matemática predice con mayor precisión el nivel de Fermi de un semiconductor?
A. Distribución de Fermi-Dirac
B. Distribución de Maxwell-Boltzmann
C. Distribución de Bose-Einstein
4: Los diodos y la mayoría de las células fotovoltaicas contienen ¿Qué característica?
A. Un cruce P-n
B. Un voltaje temprano
C. Una unión de metal-insulador-metal
D. Un cruce de efecto de pasillo
5: Cuando el silicio ha sido dopado, ¿qué significa esto?
A. Se ha derretido y revuelto.
B. Se han agregado impurezas para que sea menos conductor.
C. Se han agregado impurezas que alteran sus propiedades electrónicas de manera controlable.
D. Se ha eliminado todas sus impurezas.
6: ¿Qué sí ' Doping ' ¿hacer?
A. Cambia el comportamiento de un semiconductor
B. Duplicar el semiconductor
C. Oxigenado un semiconductor
D. Purifica un semiconductor
7: ¿Se puede usar solo el silicio puro para hacer un semiconductor?
A. Sí. Todos los semiconductores se encuentran en canteras de arena.
B. No. Necesita impurezas para convertirse en semi-conductivo.
C. Sí.
D. Sí. Cuanto más puro, mejor.
8: ¿Cuáles son los dos tipos básicos de impurezas utilizadas en el dopaje de semiconductores?
A. N-type & p-type
B. Schottky y de bosque
C. Zurdo y diestro
D. Intrínseco extrínseco
9: ¿En qué frecuencia, la reactancia capacitiva es igual a la reactancia inductiva?
A. frecuencia de corte
B. Frecuencia coincidente
C. Frecuencia de resonancia
D. Frecuencia de sintonización
10: ¿Qué ley predice el futuro de los circuitos integrados?
A. Miller ' s
B. Marleau ' s
C. Moore ' S
D. Marchand ' s
11: ¿Cuáles son los cuatro terminales de un transistor FET?
A. Fuente, puerta, señal y cuerpo.
B. Arena, puerta, drenaje y cuerpo.
C. Fuente, NOR, y, y o.
D. Fuente, puerta, drenaje y cuerpo.
12: ¿Cuál es la razón para reducir el dopaje de drenaje en un diseño de dispositivo de semiconductores de óxido de metal?
A. Para aumentar el enfoque de línea
B. Para mejorar el voltaje de descomposición
C. Para reducir el tiempo de respuesta del paso
D. Para reducir la acumulación de carbonato de calcio
13: ¿Cuáles son las dos bandas en las que puede residir un electrón?
A. Resistivo y conductor
B. Gamma y delta
C. Fotón y fonón
D. Valencia y conducción
14: ¿Cuál es el dispositivo semiconductor más simple?
A. Resistencias
B. Electrón
C. Diodo
D. Transistor
15: ¿Qué es un semiconductor?
A. Medio conductor.
B. Un director que no funciona muy bien.
C. La combinación de un material conductor y un aislante.
D. Dos mitades de un conductor.
16: ¿Cuál es un esquema común de polaridad eléctrica en un transistor MOSFET?
A. N-n-n y p-n-p.
B. N-p-r, u-p-n
C. N-P-N y P-N-P.
D. N-P-N y P-N-N-P.
17: ¿Cuál de los siguientes es un tipo de transistor?
A. Pset
B. Mtt
C. NRT
D. Bjt
18: ¿Por qué son importantes los semiconductores?
A. No son importantes.
B. Son grandes y duraderos.
C. Reemplazaron con éxito los tubos de vacío como la forma principal de calcular los datos.
D. Reemplazaron el silicio.
19: ¿Cuáles son los componentes de un MOSFET?
A. Fuente, drenaje y puerta
B. Voltaje, corriente y resistividad
C. Emisor, coleccionista y base
D. Dopante, aceptador y donante
20: El proceso de agregar impurezas deliberadamente para afectar la conductividad se llama:
A. Fabricación
B. Inserción
C. Fotolitografía
D. Doping
21: Al infundir impurezas en el silicio para hacer un semiconductor, ¿cómo se llama este proceso?
A. Derritiendo.
B. Agrietamiento.
C. Dopaje.
D. Conductible.
22: ¿Qué significa BJT?
A. Transistor de Jennings bimetálico
B. Transistor justificado
C. Transistor articular de boro
D. Transistor de unión bipolar
23: ¿De qué se hacen los semiconductores principalmente?
A. Sal.
B. Silicio.
C. Vaso.
D. Goma.
24: ¿Qué significa LED?
A. Dispositivo de emisión de luz
B. Diodo electromagnético ligero
C. Diodo emisor de luz
D. Dispositivo de electrones ligeros
25: ¿Qué significa el acrónimo IGBT?
A. Transistor Bipolar de Puerta Aislada.
B. Transistor intrínseco basado en germanio
C. Transistor bidireccional inerte
D. Transistor de boro de grafito de yodo
26: Un electrón es un _____
A. fermion
B. bosón
27: ¿Qué es un semiconductor III-V?
A. Un semiconductor hecho de tres partes de un elemento a cinco partes de otro elemento
B. Un semiconductor hecho de elementos en las columnas III y V de la tabla periódica
C. Un semiconductor con bandas de conducción a 3 eV y 5 eV
28: ¿Qué tipo de semiconductor obtienes si lo drogies con Boron?
A. Un semiconductor de tipo N.
B. Un transistor borónico.
C. Un transistor de reacción bórica.
D. Un semiconductor de tipo P.
29: ¿Qué dos fórmulas determinan la distribución del portador de un semiconductor?
A. Distribución y densidad de Fermi-Dirac de estados
B. Ohm ' s Law & Kirchhoff ' s actual ley
C. Función Riemann Zeta y transformación de Fourier
D. Bose-Einstein Distribution & Bessel Functions
30: El proceso por el cual los electrones y los agujeros aniquilan:
A. Túnel
B. Emisión espontánea
C. Inicialización
D. Recombinación
31: ¿Qué tres tipos principales de acción portadora ocurren dentro de un semiconductor?
A. Deriva, difusión, generación de recombinación
B. Generación de recombinación, disensión, difusión
C. Disensión, deriva, generación de recombinación
D. Deriva, difusión, disensión
32: ¿Cuál de los siguientes es un dispositivo controlado por voltaje?
A. Bjt
B. SCR
C. Triac
D. Mosfet
33: ¿Dónde se debe agregar el dopaje dentro de un semiconductor para alterar su conductividad?
A. Su red de cristal.
B. Su exterior.
C. Su centro.
D. Sus capas.
34: ¿Qué es un excitón?
A. Un par de fotones-fonón
B. Un par de electrones
C. Un monopolo magnético
D. Una resonancia de bandgap
35: La longitud de onda de la luz emitida por un LED está determinada por su:
A. bandgap
B. frecuencia de fonón
C. masa efectiva de electrones
D. permitividad
36: El voltio de electrones es una unidad de:
A. Potencial
B. Energía
C. Conductividad
D. Fuerza
37: ¿Qué concepto describe el potencial químico de un semiconductor?
A. Energía de Fermi
B. Estadísticas de Dirac
C. Nivel de Fermi
D. Nivel de fermión
38: ¿Qué técnica se usa comúnmente para patrones de semiconductores?
A. Fotolitografía
B. Deposición de vapor químico (CVD)
C. Mems
D. Chisporroteo
39: En la elipsometría, el acimut es el ángulo entre _______ y el plano de incidencia.
A. eje semi-minor de la elipse
B. eje principal de la elipse
C. acorde mayor
D. eje menor de la elipse
40: Un semiconductor degenerado tiene cuál de las siguientes características?
A. Todas estas son características de un semiconductor degenerado
B. Conduce como un metal
C. Su nivel de Fermi es casi igual a su energía de conducción o banda de valencia
D. Es muy dopado
41: Los memristores también se conocen como _________.
A. Transistores de metal
B. Tiristores de memoria
C. Resistencias de metal
D. Resistencias de memoria
42: En una placa de circuito, ¿qué carta suele marcar un transistor?
A. L
B. P
C. T
D. Riñonal
43: ¿Qué dispositivos se usan típicamente para controlar el volumen en la electrónica?
A. Transistores
B. Inductores
C. Diodos
D. Resistencias
44: ¿Cuál es la máxima eficiencia teórica para una célula solar de silicio de un solo unión?
A. 17%
B. 33%
C. 52%
D. 21%
45: ¿Cuáles son los cuatro elementos en los cigarrillos?
A. Cobre, indio, galio, selenio
B. Cadmio, indio, germanio, azufre
C. Cobre, indio, galio, plata
D. Carbono, yodo, germanio, azufre
46: ¿Cuál es el valor de KT a temperatura ambiente?
A. 1.12 eV
B. 25.6 mev
C. 15 eV
D. 137 MeV
47: ¿Qué tipo de elemento se usa más ampliamente para la fabricación de dispositivos semiconductores?
A. Grupo IV
B. Grupo V
C. Grupo III
D. Grupo VI
48: ¿Cuál es el término para una planta de fabricación de dispositivos semiconductores?
A. Fab
B. Restaurante de comida rápida
C. Instalación de producción de semiconductores (SPF)
D. Planta
49: ¿Cuál es el bandgap de Silicon?
A. 1.12 eV
B. 1.41 eV
C. 2.83 eV
D. 0.79 eV
50: ¿Qué semiconductor tiene una banda de banda directa?
A. Germanio
B. Arseniuro de galio
C. Carburo de silicio
D. Silicio
51: ¿Qué sucede con los electrones para que un semiconductor gane conductividad eléctrica?
A. Han sido delocalizados.
B. Han sido acelerados.
C. Han sido bombardeados.
D. Están rodeados por neutrinos.
52: ¿De qué se hizo el primer transistor?
A. Silicio
B. Arseniuro de galio
C. Germanio
D. Arsenuro de aluminio
53: ¿Cuál de estos es un método común para producir silicio de cristal único?
A. Catálisis de cristal de níquel-paladio
B. Cristalización de Schottky
C. Proceso czochralski
D. Deposición de vapor químico
54: Un espacio en una oblea entre el dado se llama A (n):
A. Línea de escribas
B. Adhesivo
C. Hexode
D. Mascarilla
55: En una parcela de concentración de portador versus temperatura, ¿cuál de ellas no es una región distinta?
A. Extrínseco
B. Intrínseco
C. Descongelar
D. Derretirse en
56: ¿Cuál es la unidad de volumen convencional en ingeniería de semiconductores?
A. nm^3
B. mm^3
C. m^3
D. CM^3
57: ¿Verdadero o falso? Puro Si tiene una baja resistividad eléctrica a temperatura ambiente
A. Verdadero
B. FALSO
58: ¿Qué afirmación es verdadera sobre el efecto Zener?
A. Libera una gran cantidad de operadores mayoritarios libres
B. Ninguno de esos
C. Consiste en una descomposición eléctrica en un diodo P-N sesgado hacia adelante
D. Todos estos
E. Ocurre en uniones muy dopadas
59: ¿Cuál es el nombre del régimen en el que los transistores pasan la corriente?
A. Acumulación
B. Conducción
C. Inversión
D. Agotamiento
60: ¿Qué hace que las partículas se difundan de regiones de mayor concentración a regiones de menor concentración?
A. Densidad de electrones
B. Orientación magnética
C. Moción termal
D. Ósmosis sintética
61: ¿Qué partícula generalmente lleva el mayor impulso?
A. Un fotón
B. Un fonón
62: Un material de tipo P es _____.
A. cargado positivamente
B. Cargado negativamente
C. eléctricamente neutral
D. Ninguna de las anteriores
63:
De acuerdo con el criterio de Barkhausen para los osciladores _______.
A - ganancia de bucle abierto
β - Factor de retroceso
A. <p> Aβ <1 </p>
B. <p> aβ> 1 </p>
C. <p> aβ = 1 </p>
D. <p> Aβ ≤ 1 </p>
64: Si se incrementa el sesgo inverso en la puerta de un FET, el ancho del canal conductora _____.
A. aumentar
B. disminuir
C. permanecer constante
65: Un FET tiene los siguientes parámetros IDSS = 32MA, VGS (OFF) = -8V, VGS = -4.5V. ¿Cuál será la corriente de drenaje?
A. 5.2 Ma
B. 6.12 Ma
C. 7.03 Ma
D. 7.45 Ma
66: Para una buena estabilización del punto de operación en un sesgo de divisor de voltaje, la corriente I, que fluye a través de los posibles divisores R1 y R2, debe ser igual o mayor que _____. (Corriente de base ib)
A. 2ib
B. 10ib
C. 4ib
D. IB/2
67: Si en un transistor es decir = 10.5MA, IC = 10MA, el valor de β será _____.
A. 0.2
B. 200
C. 100
D. 20
68: Un triac puede pasar una porción de _____.
A. medio ciclo positivo a través de la carga
B. medio ciclo negativo a través de la carga
C. medio ciclos positivos y negativos a través de la carga
D. Ninguna de las anteriores
69: Se aplica un suministro de A.C de 230V a un circuito rectificador de media onda a través de un transformador de relación de giro 10: 1. Su salida de voltaje D.C será _____.
A. 5V
B. 12V
C. 10.36v
D. 5.18V
70: Un tubo de vacío realiza la corriente _____.
A. desde el cátodo al ánodo
B. desde el ánodo hasta el cátodo
C. En ambas direcciones anteriores
D. Alternativamente en ambas direcciones
71: Si un circuito de rectificador de tinción central de onda completa con filtro de condensador emplea una carga RL = 100Ω, y c = 1050 µF y la frecuencia es de 50Hz, ¿cuál sería el factor de ondulación?
A. 40%
B. 30%
C. 22%
D. 27%
72: Un diodo de varactores puede funcionar como un condensador variable con un sesgo hacia adelante A________.
A. muy leve
B. moderado
C. pesado
73: Las frecuencias de radio tienen su rango por encima de _____.
A. 20 kHz
B. 50 kHz
C. 100 kHz
D. 200khz
74: En el sesgo de retroalimentación del colector, β = 57, RC = 1 kΩ, IB = 60 µA y VCB = 4.5V. El valor del factor de estabilidad será _____.
A. 30.4
B. 32.9
C. 57
D. 4.5
75: En el modo de mejora (MOSFET), la conductividad aumenta _____.
A. con la disminución en el voltaje de la puerta positiva
B. con el aumento en el voltaje de la puerta positiva
C. con la disminución en el voltaje de la puerta negativa
D. con el aumento en el voltaje de la puerta negativa
76: Un amplificador de tres etapas tiene una ganancia de voltaje de primera etapa de 100, una ganancia de voltaje de segunda etapa de 200 y una tercera ganancia de etapa de 400. La ganancia de voltaje total en DB será _____.
A. 130 dB
B. 140 dB
C. 132 dB
D. 138 db
77: En resonancia paralela, un circuito sintonizado ofrece una impedancia de _____.
A. C/LR
B. R/lc
C. L/cr
D. 2l/cr
78: Un SCR es un equivalente de estado sólido de un _____.
A. triodo
B. pentodo
C. tiratrón
D. diodo
79: En el D.C. Circuito equivalente de un amplificador de transistor, los condensadores se consideran _____.
A. Abierto
B. Corto
C. A veces abierto y a veces corto
D. Sin alterar
80: La eficiencia máxima de un rectificador de onda completa es _____.
A. 40%
B. 81.2%
C. 90%
D. 99%
81: Si el voltaje de suministro del colector es de 10 V, el voltaje de corte del colector en condiciones DC será _____.
A. 5V
B. 10v
C. 20V
D. 30V
82: Si la entrada a un circuito integrador es una onda cuadrada, la salida será _____.
A. triangular
B. rectangular
C. diente de sierra
D. claveteado
83: Si en un transistor, IC = 9.5MA, es decir, 10MA, el valor de α será _____.
A. 0.95
B. 10
C. 9.5
D. 0.095
84: En un oscilador de cambio de fase R-C, una red R-C está diseñada para introducir un cambio de fase de _____.
A. 300
B. 600
C. 900
D. 1800
85: Si la entrada a un circuito diferenciador es una onda cuadrada, la salida será _____.
A. rectangular
B. APISTA
C. triangular
D. sinusoidal
86: Para la amplificación fiel, VBE no debe caer por debajo de _____.
A. 0.9V para transistores de Si
B. 0.5V para transistores de Si
C. 0.3V para transistores de Si
D. 0.7V para transistores de Si
87: Para un oscilador de cambio de fase R-C, la frecuencia de oscilación se administrará como _____.
A. fo = 1/2lu √rc
B. fo = 1/2lu √6rc
C. fo = 1/√2пrc
D. fo = 2/√2пrc
88: Una unión P-N sesgada invertida tiene una resistencia del orden de _____.
A. Ω
B. KΩ
C. MΩ
D. mΩ
89: La impedancia de un circuito sintonizado paralelo en la resonancia es _____.
A. 0
B. bajo
C. muy alto
D. muy bajo
90: Un amplificador de transistor tiene 4V, 2 mA como punto de operación. Para la amplificación fiel, la corriente del coleccionista debido a la señal por sí sola no debe exceder _____.
A. 2MA
B. 1 mA
C. 4mA
D. 8 mA
91: Un Milliammeter D.C conectado a un rectificador de media onda que suministra una corriente máxima de 10 mA se leerá _____.
A. 10 Ma
B. 20 Ma
C. 5 Ma
D. 3.18 Ma
92: Un SCR combina las características de_____.
A. un rectificador y un amplificador
B. un rectificador y un transistor
C. un rectificador y un oscilador
D. un rectificador y un inversor
93: El oscilador Hartley es _____.
A. un oscilador RC
B. un oscilador LC
C. un oscilador de cristal
94: Si en un transistor VCB = 4V, VBE = 0.7V, el VCE será igual a _____.
A. 4.7v
B. 5.4V
C. 3.3V
D. 0.7V
95: Los voltajes de entrada y salida de un amplificador de transistor CE son _____.
A. en fase
B. 90 ° fuera de fase
C. 180 ° fuera de fase
D. 120 ° fuera de fase
96: Un FET tiene ________ temperatura coeficiente de resistencia.
A. 0
B. positivo
C. negativo
97: AN: FET es un _____.
A. dispositivo bipolar
B. dispositivo tripolar
C. dispositivo unipolar
98: El MOS complementario (CMOS) usa _____.
A. Solo dispositivos de canal N en el circuito
B. Solo dispositivos de canales P en el circuito
C. Dispositivos de canal N y P en el circuito
D. Ninguna de las anteriores
99: Una carga de 3 ohmios se acopla a un amplificador de transistor a través de un transformador de paso hacia abajo. Si la resistencia D.C del devanado primario es de 300Ω y la resistencia de salida del amplificador es de 3kΩ, ¿cuál debería ser la relación de giro para la transferencia de potencia máxima?
A. Np/ns = 40
B. Np/ns = 20
C. Np/ns = 30
D. Np/ns = 10
100: El valor ideal del factor de estabilidad es _____.
A. 0
B. 10
C. 1
D. 100
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