A.   Abrir flujo de corriente para en todas las direcciones

C.   Cerrar el flujo de corriente en todas las direcciones

A.   Antimonio

B.   Fósforo

C.   Arsénico

B.   Distribución de Maxwell-Boltzmann

C.   Distribución de Bose-Einstein

B.   Un voltaje temprano

C.   Una unión de metal-insulador-metal

D.   Un cruce de efecto de pasillo

A.   Se ha derretido y revuelto.

B.   Se han agregado impurezas para que sea menos conductor.

D.   Se ha eliminado todas sus impurezas.

B.   Duplicar el semiconductor

C.   Oxigenado un semiconductor

D.   Purifica un semiconductor

A.   Sí. Todos los semiconductores se encuentran en canteras de arena.

C.   Sí.

D.   Sí. Cuanto más puro, mejor.

B.   Schottky y de bosque

C.   Zurdo y diestro

D.   Intrínseco extrínseco

A.   frecuencia de corte

B.   Frecuencia coincidente

D.   Frecuencia de sintonización

A.   Miller ' s

B.   Marleau ' s

D.   Marchand ' s

A.   Fuente, puerta, señal y cuerpo.

B.   Arena, puerta, drenaje y cuerpo.

C.   Fuente, NOR, y, y o.

A.   Para aumentar el enfoque de línea

C.   Para reducir el tiempo de respuesta del paso

D.   Para reducir la acumulación de carbonato de calcio

A.   Resistivo y conductor

B.   Gamma y delta

C.   Fotón y fonón

A.   Resistencias

B.   Electrón

D.   Transistor

A.   Medio conductor.

B.   Un director que no funciona muy bien.

D.   Dos mitades de un conductor.

A.   N-n-n y p-n-p.

B.   N-p-r, u-p-n

D.   N-P-N y P-N-N-P.

A.   Pset

B.   Mtt

C.   NRT

A.   No son importantes.

B.   Son grandes y duraderos.

D.   Reemplazaron el silicio.

B.   Voltaje, corriente y resistividad

C.   Emisor, coleccionista y base

D.   Dopante, aceptador y donante

A.   Fabricación

B.   Inserción

C.   Fotolitografía

A.   Derritiendo.

B.   Agrietamiento.

D.   Conductible.

A.   Transistor de Jennings bimetálico

B.   Transistor justificado

C.   Transistor articular de boro

A.   Sal.

C.   Vaso.

D.   Goma.

A.   Dispositivo de emisión de luz

B.   Diodo electromagnético ligero

D.   Dispositivo de electrones ligeros

B.   Transistor intrínseco basado en germanio

C.   Transistor bidireccional inerte

D.   Transistor de boro de grafito de yodo

B.   bosón

A.   Un semiconductor hecho de tres partes de un elemento a cinco partes de otro elemento

C.   Un semiconductor con bandas de conducción a 3 eV y 5 eV

A.   Un semiconductor de tipo N.

B.   Un transistor borónico.

C.   Un transistor de reacción bórica.

B.   Ohm ' s Law & Kirchhoff ' s actual ley

C.   Función Riemann Zeta y transformación de Fourier

D.   Bose-Einstein Distribution & Bessel Functions

A.   Túnel

B.   Emisión espontánea

C.   Inicialización

B.   Generación de recombinación, disensión, difusión

C.   Disensión, deriva, generación de recombinación

D.   Deriva, difusión, disensión

A.   Bjt

B.   SCR

C.   Triac

B.   Su exterior.

C.   Su centro.

D.   Sus capas.

A.   Un par de fotones-fonón

C.   Un monopolo magnético

D.   Una resonancia de bandgap

B.   frecuencia de fonón

C.   masa efectiva de electrones

D.   permitividad

A.   Potencial

C.   Conductividad

D.   Fuerza

A.   Energía de Fermi

B.   Estadísticas de Dirac

D.   Nivel de fermión

B.   Deposición de vapor químico (CVD)

C.   Mems

D.   Chisporroteo

A.   eje semi-minor de la elipse

C.   acorde mayor

D.   eje menor de la elipse

B.   Conduce como un metal

C.   Su nivel de Fermi es casi igual a su energía de conducción o banda de valencia

D.   Es muy dopado

A.   Transistores de metal

B.   Tiristores de memoria

C.   Resistencias de metal

A.   L

C.   T

D.   Riñonal

A.   Transistores

B.   Inductores

C.   Diodos

A.   17%

C.   52%

D.   21%

B.   Cadmio, indio, germanio, azufre

C.   Cobre, indio, galio, plata

D.   Carbono, yodo, germanio, azufre

A.   1.12 eV

C.   15 eV

D.   137 MeV

B.   Grupo V

C.   Grupo III

D.   Grupo VI

B.   Restaurante de comida rápida

C.   Instalación de producción de semiconductores (SPF)

D.   Planta

B.   1.41 eV

C.   2.83 eV

D.   0.79 eV

A.   Germanio

C.   Carburo de silicio

D.   Silicio