Fragen zu Halbleitern in deutschen Sprachen
Fragen zu Halbleitern in deutschen Sprachen
Diese Multiple-Choice-Fragen und Antworten zu Halbleitern helfen Ihnen, Halbleiterthemen besser zu verstehen. Nutzen Sie diese über 100 MCQs zum Thema Halbleiter, um sich auf Ihre nächste Prüfung oder Ihr nächstes Vorstellungsgespräch vorzubereiten.
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1: Was machen Dioden?
A. Öffnen Sie den Stromfluss für alle Richtungen
B. Blockieren Sie den Strom in eine Richtung, während der Strom in eine andere Richtung fließen lässt.
C. Stromfluss in alle Richtungen schließen
2: Was ist der einzige P-Typ-Dotiermittel, der bei der Herstellung von Siliziumgeräten verwendet wird?
A. Antimon
B. Phosphor
C. Arsen
D. Bor
3: Welche mathematische Formel sagt den Fermi -Spiegel eines Halbleiters am genauesten voraus?
A. Fermi-Dirac-Verteilung
B. Maxwell-Boltzmann-Verteilung
C. Bose-Einstein-Verteilung
4: Dioden und die meisten Photovoltaikzellen enthalten welches Merkmal?
A. Eine P-N-Übergang
B. Eine frühe Spannung
C. Eine Metall-INSERLATER-Metal-Übergang
D. Ein Hall -Effekt -Übergang
5: Was bedeutet das, wenn Silizium dotiert wurde?
A. Es wurde geschmolzen und gerührt.
B. Verunreinigungen wurden hinzugefügt, um es weniger leitend zu machen.
C. Es wurden Verunreinigungen hinzugefügt, die seine elektronischen Eigenschaften auf steuerbare Weise verändern.
D. Es hat alle Verunreinigungen entfernt.
6: Was macht ' Doping ' Tun?
A. Ändert das Verhalten eines Halbleiters
B. Duplizieren Sie den Halbleiter
C. Sauerstoff ein Halbleiter
D. Reinigt einen Halbleiter
7: Kann reines Silizium allein verwendet werden, um einen Halbleiter herzustellen?
A. Ja. Alle Halbleiter sind in Sandbrüsten zu finden.
B. Nein, es braucht Verunreinigungen, um semi-leitend zu werden.
C. Ja.
D. Ja. Je reiner, desto besser.
8: Was sind die beiden Grundtypen von Verunreinigungen, die im Halbleiter -Doping verwendet werden?
A. N-Typ & P-Typ
B. Schottky & de Forest
C. Linkshänder und rechtshändig
D. Intrinsisch und extrinsisch
9: Bei welcher Frequenz entspricht die kapazitive Reaktanz der induktiven Reaktanz?
A. Frequenz abschneiden
B. Passende Frequenz
C. Resonanzfrequenz
D. Tunning Frequenz
10: Welches Gesetz prognostiziert die Zukunft integrierter Schaltungen?
A. Müller ' S
B. Marleau ' S
C. Moores ' S
D. Marchand ' S
11: Was sind die vier Terminals eines FET -Transistors?
A. Quelle, Tor, Signal und Körper.
B. Sand, Tor, Abfluss und Körper.
C. Quelle, noch und und oder.
D. Quelle, Tor, Abfluss und Körper.
12: Was ist der Grund für die Reduzierung des Abflussdops in einem Metalloxid-Halbleitergerät?
A. Zunahme der Linienfokus zu erhöhen
B. Verbesserung der Breakdown -Spannung
C. Um die Schrittantwortzeit zu verkürzen
D. Um den Aufbau von Calciumcarbonat zu verringern
13: Was sind die beiden Bänder, in denen sich ein Elektron wohnen kann?
A. Widerstand und leitfähig
B. Gamma und Delta
C. Photon und Phonon
D. Valenz und Leitung
14: Was ist das einfachste Halbleitergerät?
A. Widerstände
B. Elektron
C. Diode
D. Transistor
15: Was ist ein Halbleiter?
A. Ein halber Leiter.
B. Ein Dirigent, der nicht sehr gut funktioniert.
C. Die Kombination eines leitenden Materials und eines Isolators.
D. Zwei Hälften eines Dirigenten.
16: Was ist ein gemeinsames Schema der elektrischen Polarität bei einem MOSFET -Transistor?
A. N-N und P-N-P.
B. N-P-R, U-P-N
C. N-P-N und P-N-P.
D. N-P-N und P-N-N-P.
17: Welcher der folgenden Transistor ist die folgende Art von Transistor?
A. PSET
B. Mtt
C. Nrt
D. Bjt
18: Warum sind Halbleiter wichtig?
A. Sie sind nicht wichtig.
B. Sie sind groß und langlebig.
C. Sie ersetzten erfolgreich Vakuumröhrchen als primärer Weg, um Daten zu berechnen.
D. Sie ersetzten Silizium.
19: Was sind die Komponenten eines MOSFET?
A. Quelle, Abfluss und Tor
B. Spannung, Strom und Widerstand
C. Emitter, Sammler und Basis
D. Dopant, Akzeptor und Spender
20: Der Prozess des addinessiver Hinzufügens von Verunreinigungen zur Beeinflussung der Leitfähigkeit wird genannt:
A. Herstellung
B. Einfügen
C. Photolithographie
D. Doping
21: Wie heißt dieser Prozess, wenn dieser Prozess genannt wird, wenn sie Unreinheiten in Silizium infundieren, um einen Halbleiter zu machen?
A. Schmelzen.
B. Knacken.
C. Doping.
D. Leitung.
22: Wofür steht BJT?
A. Bimetallischer Jennings Transistor
B. Zurück gerechtfertigter Transistor
C. Bor -Transistor
D. Bipolarer Junction Transistor
23: Woraus bestehen Halbleiter in erster Linie?
A. Salz.
B. Silizium.
C. Glas.
D. Gummi.
24: Wofür steht LED?
A. Leichtemissionsvorrichtung
B. Leichte elektromagnetische Diode
C. Leuchtdiode
D. Lichtelektronenvorrichtung
25: Wofür steht das Akronym IGBT?
A. Bipolarer Transistor Isoliertes Tor.
B. Intinsic Germaniumbasierter Transistor
C. Inert Gate Bidirektionaler Transistor
D. Jodgrafit -Bortransistor
26: Ein Elektron ist ein _____
A. Fermion
B. Boson
27: Was ist ein III-V-Halbleiter?
A. Ein Halbleiter aus drei Teilen eines Elements bis zu fünf Teilen eines anderen Elements
B. Ein Halbleiter aus Elementen in den Spalten III und V der Periodenzüchter
C. Ein Halbleiter mit Leitungsbändern bei 3 eV und 5 eV
28: Welche Art von Halbleiter erhalten Sie, wenn Sie es mit Bor eintauchen?
A. Ein N-Typ-Halbleiter.
B. Ein Boronischer Transistor.
C. Ein borischer Reaktionstransistor.
D. Ein P-Typ-Halbleiter.
29: Welche zwei Formeln bestimmen die Trägerverteilung eines Halbleiters?
A. Fermi-Dirac-Verteilung und -dichte der Zustände
B. OHMs Gesetz & Kirchhoffs aktuelles Gesetz
C. Riemann Zeta -Funktion und Fourier -Transformation
D. Bose-Einstein-Verteilung und Bessel-Funktionen
30: Der Vorgang, durch den Elektronen und Löcher annihilieren, heißt:
A. Tunneling
B. Spontane Emission
C. Initialisierung
D. Rekombination
31: Welche drei Haupttypen von Trägerwirken treten in einem Halbleiter auf?
A. Drift, Diffusion, Rekombinations-Generation
B. Rekombinations-Generation, Dission, Diffusion
C. Dission, Drift, Rekombinations-Generation
D. Drift, Diffusion, Dission
32: Welches der folgenden Spannungsgeräte ist ein Spannungsteuergerät?
A. BJT
B. Scr
C. Triac
D. Mosfet
33: Wo muss Doping innerhalb eines Halbleiters hinzugefügt werden, um ihre Leitfähigkeit zu verändern?
A. Ihr Kristallgitter.
B. Ihr draußen.
C. Ihr Zentrum.
D. Ihre Schichten.
34: Was ist ein Exziton?
A. Ein Photon-Phonon-Paar
B. Ein Elektronenlochpaar
C. Eine magnetische Monopol
D. Eine Bandgap -Resonanz
35: Die Wellenlänge des Lichts, das durch eine LED emittiert wird, wird durch ITS bestimmt:
A. Bandabstand
B. Phononfrequenz
C. Elektroneneffektive Masse
D. Permittivität
36: Der Elektronenvolt ist eine Einheit von:
A. Potenzial
B. Energie
C. Leitfähigkeit
D. Leistung
37: Welches Konzept beschreibt das chemische Potential eines Halbleiters?
A. Fermi -Energie
B. Dirac -Statistik
C. Fermi -Level
D. Fermionspiegel
38: Welche Technik wird üblicherweise verwendet, um Halbleiter zu mustert?
A. Photolithographie
B. Chemische Dampfabscheidung (CVD)
C. Mems
D. Sputtern
39: In der Ellipsometrie ist der Azimut der Winkel zwischen _______ und der Inzidenzebene.
A. Halbminorachse der Ellipse
B. Hauptachse der Ellipse
C. Hauptakkord
D. kleinere Achse der Ellipse
40: Ein degenerierter Halbleiter hat welche der folgenden Eigenschaften?
A. All dies sind Eigenschaften eines degenerierten Halbleiters
B. Es läuft wie ein Metall
C. Sein Fermi -Wert entspricht fast seiner Leitung oder der Valenzbandenergie
D. Es ist stark dotiert
41: Memristoren sind auch als _________ bekannt.
A. Metalltransistoren
B. Erinnerung Thyristoren
C. Metallwiderstände
D. Speicherwiderstand
42: Auf einer Leiterplatte ist welcher Brief normalerweise einen Transistor markiert?
A. L
B. Q
C. T
D. R
43: Welche Geräte werden normalerweise verwendet, um das Volumen in der Elektronik zu steuern?
A. Transistoren
B. Induktoren
C. Dioden
D. Widerstände
44: Was ist die maximale theoretische Effizienz für eine Ein-Junction-Silizium-Solarzelle?
A. 17%
B. 33%
C. 52%
D. 21%
45: Was sind die vier Elemente in CIGS?
A. Kupfer, Indium, Gallium, Selen
B. Cadmium, Indium, Germanium, Schwefel
C. Kupfer, Indium, Gallium, Silber
D. Kohlenstoff, Jod, Germanium, Schwefel
46: Was ist der Wert von KT bei Raumtemperatur?
A. 1.12 ev
B. 25.6 mev
C. 15 ev
D. 137 mev
47: Welche Art von Element wird am häufigsten für die Herstellung von Halbleitergeräten verwendet?
A. Gruppe IV
B. Gruppe v
C. Gruppe III
D. Gruppe VI
48: Wie lautet der Begriff für eine Semiconductor -Herstellungsanlage?
A. Fabelhaft
B. Chip Shop
C. Semiconductor Production Facility (SPF)
D. Plattenanlage
49: Was ist der Bandgücken von Silizium?
A. 1.12 ev
B. 1.41 ev
C. 2.83 ev
D. 0,79 ev
50: Welcher Halbleiter hat einen direkten Bandgap?
A. Germanium
B. Gallium Arsenid
C. Siliziumkarbid
D. Silizium
51: Was passiert mit Elektronen, um einen Halbleiter zu veranlassen, elektrische Leitfähigkeit zu erlangen?
A. Sie wurden delokalisiert.
B. Sie wurden beschleunigt.
C. Sie wurden bombardiert.
D. Sie werden von Neutrinos umkreist.
52: Woraus war der erste Transistor?
A. Silizium
B. Galliumarsenid
C. Germanium
D. Aluminiumarsenid
53: Welche davon ist eine übliche Methode zur Herstellung von Einzelkristallsilicium?
A. Nickel-Palladium-Kristallkatalyse
B. Schottky -Kristallisierung
C. Czochralski -Prozess
D. Chemische Gasphasenabscheidung
54: Ein Raum auf einem Wafer zwischen Würfel wird als (n) bezeichnet:
A. Schreiberlinie
B. Klebstoff
C. Hexode
D. Maske
55: Welches davon ist in einem Diagramm der Trägerkonzentration im Vergleich zu Temperaturen keine eindeutige Region?
A. Extrinsisch
B. Intrinsisch
C. Frieren aus
D. In schmelzen
56: Was ist die konventionelle Volumeneinheit in der Halbleitertechnik?
A. nm^3
B. mm^3
C. m^3
D. cm^3
57: Richtig oder falsch? Pure SI hat einen niedrigen elektrischen Widerstand bei Raumtemperatur
A. WAHR
B. FALSCH
58: Welche Aussage gilt für den Zener -Effekt?
A. Es befreit eine große Anzahl freier Mehrheitsträger
B. Keine von diesen
C. Es besteht aus elektrischem Zusammenbruch in einer vorwärts vorgespannten P-N-Diode
D. Alle von denen
E. Es tritt in stark dotierten Übergängen auf
59: Wie heißt das Regime, in dem Transistoren Strom verabschieden?
A. Akkumulation
B. Leitung
C. Inversion
D. Erschöpfung
60: Was führt dazu, dass Partikel von Regionen mit höherer Konzentration bis zu Regionen mit niedrigerer Konzentration diffundieren?
A. Elektronendichte
B. Magnetische Orientierung
C. Thermische Bewegung
D. Synthetische Osmose
61: Welches Partikel trägt im Allgemeinen den größten Schwung?
A. Ein Photon
B. Ein Phonon
62: Ein P-Typ-Material ist _____.
A. positiv geladen
B. negativ geladen
C. elektrisch neutral
D. nichts des oben Genannten
63:
Nach dem Barkhausen -Kriterium für Oszillatoren _______.
A. <p> aβ <1 </p>
B. <p> aβ> 1 </p>
C. <p> aβ = 1 </p>
D. <p> aβ ≤ 1 </p>
64: Wenn die umgekehrte Vorspannung am Tor eines FET erhöht wird, wird die Breite des leitenden Kanals _____.
A. Zunahme
B. verringern
C. gleich bleiben
65: Ein FET hat die folgenden Parameter IDSS = 32 mA, VGS (OFF) = -8V, VGS = -4,5 V. Was wird der Abflussstrom sein?
A. 5.2 Ma
B. 6.12 Ma
C. 7.03 Ma
D. 7.45 Ma
66: Für eine gute Stabilisierung des Betriebspunkts in einer Spannungsteiler -Vorspannung sollte der Strom I, der durch mögliche Teiler R1 und R2 fließt, gleich oder größer als _____. (IB-Basisstrom)
A. 2ib
B. 10iB
C. 4ib
D. IB/2
67: Wenn in einem Transistor IE = 10,5 mA, IC = 10 mA, ist der Wert von β _____.
A. 0,2
B. 200
C. 100
D. 20
68: Ein Triac kann einen Teil von _____ passieren.
A. positiver Halbzyklus durch die Last
B. negativer Halbzyklus durch die Last
C. Sowohl positive als auch negative halbe Zykwer durch die Last
D. Nichts des oben Genannten
69: Eine 230 -V -Versorgung mit 230 V wird durch einen Transformator des Drehverhältnisses 10: 1 auf einen Halbwellengleichrichter angelegt. Sein DC -Spannungsausgang wird _____ sein.
A. 5v
B. 12V
C. 10.36v
D. 5.18V
70: Ein Vakuumrohr leitet Strom _____.
A. von der Kathode zur Anode
B. von der Anode zur Kathode
C. in beiden oben genannten Richtungen
D. abwechselnd in beide Richtungen
71: Wenn ein Schaltkreis aus Rektifikator mit Vollwellen-Zentre mit dem Kondensatorfilter eine Last RL = 100 Ω verwendet und c = 1050 µF und die Frequenz 50 Hz beträgt, was wäre der Ripple-Faktor?
A. 40%
B. 30%
C. 22%
D. 27%
72: Eine Varaktordiode kann als variabler Kondensator mit einer Vorwärtsverzerrung fungieren.
A. Sehr klein
B. mäßig
C. schwer
73: Funkfrequenzen haben ihren Bereich über _____.
A. 20 kHz
B. 50 kHz
C. 100 kHz
D. 200kHz
74: In der Kollektor -Rückkopplungsbiasing β = 57, RC = 1 kΩ, IB = 60 µA und VCB = 4,5 V. Der Wert des Stabilitätsfaktors ist _____.
A. 30.4
B. 32.9
C. 57
D. 4.5
75: Im Verbesserungsmodus (MOSFET) steigt die Leitfähigkeit _____.
A. mit der Abnahme der positiven Gatespannung
B. mit der Erhöhung der positiven Gatespannung
C. mit der Abnahme der negativen Gatespannung
D. mit der Zunahme der negativen Torspannung
76: Ein dreistufiger Verstärker hat eine Spannungsverstärkung in der ersten Stufe von 100, eine Spannungsverstärkung der zweiten Stufe von 200 und eine Verstärkung der dritten Stufe von 400. Die Gesamtspannungsverstärkung in DB wird _____ sein.
A. 130 dB
B. 140 dB
C. 132 dB
D. 138 dB
77: Bei paralleler Resonanz bietet eine abgestimmte Schaltung eine Impedanz von _____.
A. C/lr
B. R/lc
C. L/cr
D. 2l/cr
78: Ein SCR ist ein Festkörperäquivalent eines _____.
A. Triode
B. Pentode
C. Thyratron
D. Diode
79: Im D.C. Äquivalente Schaltung eines Transistorverstärkers, die Kondensatoren werden als _____ angesehen.
A. Offen
B. Kurz
C. Manchmal offen und manchmal kurz
D. Unverändert
80: Die maximale Effizienz eines vollständigen Wellengleichrichters beträgt _____.
A. 40%
B. 81,2%
C. 90%
D. 99%
81: Wenn die Kollektorversorgungsspannung 10 V beträgt, beträgt der Sammler die Spannung unter DC -Bedingungen _____.
A. 5v
B. 10V
C. 20V
D. 30V
82: Wenn die Eingabe in eine integrierende Schaltung eine Quadratwelle ist, ist der Ausgang _____.
A. dreieckig
B. rechteckig
C. Sägezahn
D. versetzt
83: Wenn in einem Transistor IC = 9,5 mA, dh = 10 mA, ist der Wert von α _____.
A. 0,95
B. 10
C. 9.5
D. 0,095
84: In einem R-C-Phasenverschiebungsoszillator soll ein R-C-Netzwerk eine Phasenverschiebung von _____ einführen.
A. 300
B. 600
C. 900
D. 1800
85: Wenn der Eingang in eine Differenzierungsschaltung eine Quadratwelle ist, ist der Ausgang _____.
A. rechteckig
B. Stachel
C. dreieckig
D. sinusförmig
86: Für die treue Verstärkung darf VBE nicht unter _____ fallen.
A. 0,9 V für SI -Transistoren
B. 0,5 V für SI -Transistoren
C. 0,3 V für SI -Transistoren
D. 0,7 V für SI -Transistoren
87: Für einen R-C-Phasenverschiebungsoszillator wird die Schwingungsfrequenz als _____ angegeben.
A. fo = 1/2 √rc
B. fo = 1/2 √6rc
C. fo = 1/√2пrc
D. fo = 2/√2пrc
88: Eine umgekehrte, verzerrte P-N-Übergang hat einen Widerstand der Reihenfolge von _____.
A. Ω
B. Kω
C. Mω
D. Mω
89: Die Impedanz einer parallel abgestimmten Schaltung bei Resonanz ist _____.
A. 0
B. niedrig
C. sehr hoch
D. sehr niedrig
90: Ein Transistorverstärker hat 4 V, 2 mA als Betriebspunkt. Für die treue Verstärkung sollte der Kollektorstrom allein aufgrund des Signals _____ nicht überschreiten.
A. 2MA
B. 1ma
C. 4ma
D. 8ma
91: Ein DC Milliammeter, der mit einem halben Wellengleichrichter verbunden ist und ein maximaler Strom von 10 mA liefert, wird _____ gelesen.
A. 10 ma
B. 20 ma
C. 5 Ma
D. 3.18 Ma
92: Ein SCR kombiniert die Funktionen von _____.
A. ein Gleichrichter und ein Verstärker
B. ein Gleichrichter und ein Transistor
C. ein Gleichrichter und ein Oszillator
D. ein Gleichrichter und ein Wechselrichter
93: Der Hartley -Oszillator ist _____.
A. ein RC -Oszillator
B. ein LC -Oszillator
C. ein Kristalloszillator
94: Wenn in einem Transistor VCB = 4V, VBE = 0,7 V, ist das VCE gleich _____.
A. 4,7 V
B. 5.4v
C. 3.3V
D. 0,7 V
95: Die Eingangs- und Ausgangsspannungen eines CE -Transistorverstärkers sind _____.
A. in der Phase
B. 90 ° aus der Phase
C. 180 ° aus der Phase
D. 120 ° aus der Phase
96: Ein FET hat ________ Temperaturkoeffizient des Widerstands.
A. 0
B. positiv
C. negativ
97: AN: FET ist ein _____.
A. Bipolares Gerät
B. Tripolares Gerät
C. unipolares Gerät
98: Das komplementäre MOS (CMOS) verwendet _____.
A. Nur N-Kanal-Geräte in der Schaltung
B. Nur P-Channel-Geräte in der Schaltung
C. Sowohl N- als auch P -Kanalgeräte in der Schaltung
D. Nichts des oben Genannten
99: Eine 3-Ohm-Last wird durch einen Step-Down-Transformator an einen Transistorverstärker gekoppelt. Wenn der DC -Widerstand der primären Wicklung 300 under beträgt und der Ausgangswiderstand des Verstärkers 3KΩ beträgt, wie sollte das Drehverhältnis für die Übertragung der maximalen Leistung sein?
A. Np/ns = 40
B. Np/ns = 20
C. Np/ns = 30
D. Np/ns = 10
100: Der ideale Wert des Stabilitätsfaktors ist _____.
A. 0
B. 10
C. 1
D. 100
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