A.   Abra o fluxo de corrente para em todas as direções

C.   Fechar o fluxo de corrente em todas as direções

A.   Antimônio

B.   Fósforo

C.   Arsênico

B.   Distribuição de Maxwell-Boltzmann

C.   Distribuição de Bose-Einstein

B.   Uma tensão antecipada

C.   Uma junção metálica-isoladora de metal

D.   Uma junção de efeito hall

A.   Foi derretido e agitado.

B.   As impurezas foram adicionadas para torná -lo menos condutor.

D.   Ele teve todas as suas impurezas removidas.

B.   Duplicar o semicondutor

C.   Oxigenar um semicondutor

D.   Purifica um semicondutor

A.   Sim. Todos os semicondutores são encontrados em pedreiras de areia.

C.   Sim.

D.   Sim. Quanto mais puro, melhor.

B.   Schottky e De Forest

C.   Canhoto e destro

D.   Intrínseco extrínseco

A.   frequência de corte

B.   Frequência correspondente

D.   Frequência de ajuste

A.   Miller ' s

B.   Marleau ' s

D.   Marchand ' s

A.   Fonte, portão, sinal e corpo.

B.   Areia, portão, dreno e corpo.

C.   Fonte, nem e e e ou.

A.   Para aumentar o foco da linha

C.   Para reduzir o tempo de resposta da etapa

D.   Para reduzir o acúmulo de carbonato de cálcio

A.   Resistivo e condutor

B.   Gama e delta

C.   Fóton e fonon

A.   Resistores

B.   Elétron

D.   Transistor

A.   Meio condutor.

B.   Um condutor que não funciona muito bem.

D.   Duas metades de um condutor.

A.   N-n-n e p-n-p.

B.   N-P-R, U-P-N

D.   N-P-N e P-N-N-P.

A.   Pset

B.   Mtt

C.   Nrt

A.   Eles não são importantes.

B.   Eles são grandes e duráveis.

D.   Eles substituíram o silício.

B.   Tensão, corrente e resistividade

C.   Emissor, colecionador e base

D.   Dopant, aceitador e doador

A.   Fabricação

B.   Inserção

C.   Fotolitografia

A.   Derretendo.

B.   Rachadura.

D.   Conduzindo.

A.   Transistor bimetálico de Jennings

B.   De volta transistor justificado

C.   Transistor articular de boro

A.   Sal.

C.   Vidro.

D.   Borracha.

A.   Dispositivo de emissão de luz

B.   Diodo eletromagnético leve

D.   Dispositivo eletrônico leve

B.   Transistor intrínseco baseado em germânio

C.   Transistor bidirecional do portão inerte

D.   Transistor de boro de grafite de iodo

B.   Boson

A.   Um semicondutor feito de três partes de um elemento para cinco partes de outro elemento

C.   Um semicondutor com bandas de condução a 3 eV e 5 eV

A.   Um semicondutor do tipo n.

B.   Um transistor borônico.

C.   Um transistor de reação bórica.

B.   Lei e Kirchhoff de Kirchhoff

C.   Função de Riemann Zeta e transformação de Fourier

D.   Funções de distribuição e Bessel de Bose-Einstein

A.   Tunelamento

B.   Emissão espontânea

C.   Inicialização

B.   Recombinação-geração, dissensão, difusão

C.   Dispensão, deriva, geração de recombinação

D.   Deriva, difusão, dissensão

A.   BJT

B.   Scr

C.   Triac

B.   O seu exterior.

C.   O centro deles.

D.   Suas camadas.

A.   Um par de fóton-fonon

C.   Um monopolo magnético

D.   Uma ressonância de bandgap

B.   Frequência do fônon

C.   massa efetiva de elétrons

D.   permissividade

A.   Potencial

C.   Condutividade

D.   Poder

A.   Fermi Energy

B.   Dirac Statistics

D.   Nível de férmion

B.   Deposição de vapor químico (CVD)

C.   MEMS

D.   Sputtering

A.   eixo semi-minor da elipse

C.   Cordão principal

D.   eixo menor da elipse

B.   Conduz como um metal

C.   Seu nível de Fermi é quase igual à sua energia de condução ou banda de valência

D.   É altamente dopado

A.   Transistores de metal

B.   Tiristores de memória

C.   Resistores de metal

A.   eu

C.   T

D.   R

A.   Transistores

B.   Indutores

C.   Diodos

A.   17%

C.   52%

D.   21%

B.   Cádmio, índio, germânio, enxofre

C.   Cobre, índio, gálio, prata

D.   Carbono, iodo, germânio, enxofre

A.   1.12 eV

C.   15 eV

D.   137 MeV

B.   Grupo V.

C.   Grupo III

D.   Grupo VI

B.   Loja de chips

C.   Instalação de produção de semicondutores (SPF)

D.   Planta da bandeja

B.   1.41 eV

C.   2,83 eV

D.   0,79 eV

A.   Germânio

C.   Carboneto de silício

D.   Silício