Questões de semicondutores em línguas portuguesas
Questões de semicondutores em línguas portuguesas
Essas perguntas e respostas de múltipla escolha sobre semicondutores ajudarão você a entender melhor os tópicos relacionados a semicondutores. Aproveite esses mais de 100 MCQs em semicondutores para se preparar para seu próximo exame ou entrevista.
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1: O que os diodos fazem?
A. Abra o fluxo de corrente para em todas as direções
B. Bloqueie a corrente em uma direção enquanto deixa a corrente fluir em outra direção.
C. Fechar o fluxo de corrente em todas as direções
2: Qual é o único dopante do tipo P usado na fabricação de dispositivos de silício?
A. Antimônio
B. Fósforo
C. Arsênico
D. Boro
3: Que fórmula matemática prevê com mais precisão o nível de Fermi de um semicondutor?
A. Fermi-Dirac Distribution
B. Distribuição de Maxwell-Boltzmann
C. Distribuição de Bose-Einstein
4: Diodos e a maioria das células fotovoltaicas contêm qual recurso?
A. Uma junção P-n
B. Uma tensão antecipada
C. Uma junção metálica-isoladora de metal
D. Uma junção de efeito hall
5: Quando o silício foi dopado, o que isso significa?
A. Foi derretido e agitado.
B. As impurezas foram adicionadas para torná -lo menos condutor.
C. Foram adicionados impurezas que alteram suas propriedades eletrônicas de maneira controlável.
D. Ele teve todas as suas impurezas removidas.
6: O que faz ' Doping ' fazer?
A. Altera o comportamento de um semicondutor
B. Duplicar o semicondutor
C. Oxigenar um semicondutor
D. Purifica um semicondutor
7: Somente o silício puro pode ser usado para fazer um semicondutor?
A. Sim. Todos os semicondutores são encontrados em pedreiras de areia.
B. Não. Precisa de impurezas para se tornar semi-condutas.
C. Sim.
D. Sim. Quanto mais puro, melhor.
8: Quais são os dois tipos básicos de impurezas usados na doping de semicondutores?
A. N-Type & P-Type
B. Schottky e De Forest
C. Canhoto e destro
D. Intrínseco extrínseco
9: Em que frequência, a reatância capacitiva é igual à reatância indutiva?
A. frequência de corte
B. Frequência correspondente
C. Frequência de ressonância
D. Frequência de ajuste
10: Que lei prevê o futuro dos circuitos integrados?
A. Miller ' s
B. Marleau ' s
C. Moore ' S
D. Marchand ' s
11: Quais são os quatro terminais de um transistor de FET?
A. Fonte, portão, sinal e corpo.
B. Areia, portão, dreno e corpo.
C. Fonte, nem e e e ou.
D. Fonte, portão, dreno e corpo.
12: Qual é a razão para reduzir o doping de drenagem em um design de dispositivo semicondutor de óxido de metal?
A. Para aumentar o foco da linha
B. Para melhorar a tensão de ruptura
C. Para reduzir o tempo de resposta da etapa
D. Para reduzir o acúmulo de carbonato de cálcio
13: Quais são as duas bandas em que um elétron pode residir?
A. Resistivo e condutor
B. Gama e delta
C. Fóton e fonon
D. Valência e condução
14: Qual é o dispositivo semicondutor mais simples?
A. Resistores
B. Elétron
C. Diodo
D. Transistor
15: O que é um semicondutor?
A. Meio condutor.
B. Um condutor que não funciona muito bem.
C. A combinação de um material condutor e um isolador.
D. Duas metades de um condutor.
16: O que é um esquema comum de polaridade elétrica em um transistor MOSFET?
A. N-n-n e p-n-p.
B. N-P-R, U-P-N
C. N-P-N e P-N-P.
D. N-P-N e P-N-N-P.
17: Qual das alternativas a seguir é um tipo de transistor?
A. Pset
B. Mtt
C. Nrt
D. Bjt
18: Por que os semicondutores são importantes?
A. Eles não são importantes.
B. Eles são grandes e duráveis.
C. Eles substituíram com sucesso os tubos de vácuo como a principal maneira de calcular dados.
D. Eles substituíram o silício.
19: Quais são os componentes de um MOSFET?
A. Fonte, drenagem e portão
B. Tensão, corrente e resistividade
C. Emissor, colecionador e base
D. Dopant, aceitador e doador
20: O processo de adicionar deliberadamente impurezas para afetar a condutividade é chamado:
A. Fabricação
B. Inserção
C. Fotolitografia
D. Doping
21: Ao infundir impurezas no silício para fazer um semicondutor, como é chamado esse processo?
A. Derretendo.
B. Rachadura.
C. Doping.
D. Conduzindo.
22: O que significa BJT?
A. Transistor bimetálico de Jennings
B. De volta transistor justificado
C. Transistor articular de boro
D. Transistor de junção bipolar
23: Do que os semicondutores são feitos principalmente?
A. Sal.
B. Silício.
C. Vidro.
D. Borracha.
24: O que o LED significa?
A. Dispositivo de emissão de luz
B. Diodo eletromagnético leve
C. Diodo emissor de luz
D. Dispositivo eletrônico leve
25: O que o acrônimo IGBT representa?
A. Transistor bipolar de porta isolada.
B. Transistor intrínseco baseado em germânio
C. Transistor bidirecional do portão inerte
D. Transistor de boro de grafite de iodo
26: Um elétron é um _____
A. Fermion
B. Boson
27: O que é um semicondutor III-V?
A. Um semicondutor feito de três partes de um elemento para cinco partes de outro elemento
B. Um semicondutor feito de elementos nas colunas III e V da tabela periódica
C. Um semicondutor com bandas de condução a 3 eV e 5 eV
28: Que tipo de semicondutor você obtém se você o mora com o Boron?
A. Um semicondutor do tipo n.
B. Um transistor borônico.
C. Um transistor de reação bórica.
D. Um semicondutor do tipo P.
29: Quais duas fórmulas determinam a distribuição de transportador de um semicondutor?
A. Fermi-Dirac Distribuição e densidade de estados
B. Lei e Kirchhoff de Kirchhoff
C. Função de Riemann Zeta e transformação de Fourier
D. Funções de distribuição e Bessel de Bose-Einstein
30: O processo pelo qual elétrons e buracos aniquilam é chamado:
A. Tunelamento
B. Emissão espontânea
C. Inicialização
D. Recombinação
31: Quais são os três tipos principais de ação da transportadora dentro de um semicondutor?
A. Deriva, difusão, recombinação-geração
B. Recombinação-geração, dissensão, difusão
C. Dispensão, deriva, geração de recombinação
D. Deriva, difusão, dissensão
32: Qual das alternativas a seguir é um dispositivo controlado por tensão?
A. BJT
B. Scr
C. Triac
D. MOSFET
33: Onde deve ser adicionado doping dentro de um semicondutor para alterar sua condutividade?
A. Sua rede de cristal.
B. O seu exterior.
C. O centro deles.
D. Suas camadas.
34: O que é um exciton?
A. Um par de fóton-fonon
B. Um par de elétrons
C. Um monopolo magnético
D. Uma ressonância de bandgap
35: O comprimento de onda da luz emitido por um LED é determinado por seu:
A. BandGap
B. Frequência do fônon
C. massa efetiva de elétrons
D. permissividade
36: O Volt de elétrons é uma unidade de:
A. Potencial
B. Energia
C. Condutividade
D. Poder
37: Qual conceito descreve o potencial químico de um semicondutor?
A. Fermi Energy
B. Dirac Statistics
C. Fermi Nível
D. Nível de férmion
38: Que técnica é comumente usada para padronizar semicondutores?
A. Fotolitografia
B. Deposição de vapor químico (CVD)
C. MEMS
D. Sputtering
39: Na elipsometria, o azimute é o ângulo entre o _______ e o plano de incidência.
A. eixo semi-minor da elipse
B. Eixo principal da elipse
C. Cordão principal
D. eixo menor da elipse
40: Um semicondutor degenerado tem quais das seguintes características?
A. Tudo isso são características de um semicondutor degenerado
B. Conduz como um metal
C. Seu nível de Fermi é quase igual à sua energia de condução ou banda de valência
D. É altamente dopado
41: Memristores também são conhecidos como _________.
A. Transistores de metal
B. Tiristores de memória
C. Resistores de metal
D. Resistores de memória
42: Em uma placa de circuito que carta geralmente marca um transistor?
A. eu
B. Q
C. T
D. R
43: Quais dispositivos são normalmente usados para controlar o volume em eletrônicos?
A. Transistores
B. Indutores
C. Diodos
D. Resistores
44: Qual é a eficiência teórica máxima para uma célula solar de silício de junção única?
A. 17%
B. 33%
C. 52%
D. 21%
45: Quais são os quatro elementos do CIGS?
A. Cobre, índio, gálio, selênio
B. Cádmio, índio, germânio, enxofre
C. Cobre, índio, gálio, prata
D. Carbono, iodo, germânio, enxofre
46: Qual é o valor do KT à temperatura ambiente?
A. 1.12 eV
B. 25,6 mev
C. 15 eV
D. 137 MeV
47: Que tipo de elemento é mais amplamente utilizado para a fabricação de dispositivos semicondutores?
A. Grupo IV
B. Grupo V.
C. Grupo III
D. Grupo VI
48: Qual é o termo para uma fábrica de dispositivos semicondutores?
A. Fab
B. Loja de chips
C. Instalação de produção de semicondutores (SPF)
D. Planta da bandeja
49: Qual é o bandGap of Silicon?
A. 1.12 EV
B. 1.41 eV
C. 2,83 eV
D. 0,79 eV
50: Qual semicondutor tem uma banda direta?
A. Germânio
B. Arsenide de gálio
C. Carboneto de silício
D. Silício
51: O que acontece com os elétrons para fazer com que um semicondutor ganhe condutividade elétrica?
A. Eles foram delocalizados.
B. Eles foram acelerados.
C. Eles foram bombardeados.
D. Eles são cercados por neutrinos.
52: De que foi o primeiro transistor?
A. Silício
B. Arseneto de gálio
C. Germânio
D. Arsenide de alumínio
53: Qual destes é um método comum para produzir silício de cristal único?
A. Catálise de Cristal de Níquel-Palládio
B. Cristalização Schottky
C. Processo Czochralski
D. Deposição de vapor químico
54: Um espaço em uma bolacha entre o dado é chamado A (n):
A. Linha de marcação
B. Adesivo
C. Hexode
D. mascarar
55: Em um gráfico de concentração de transportadora versus temperatura, qual destes não é uma região distinta?
A. Extrínseco
B. Intrínseco
C. Congelar
D. Derreter em foder
56: Qual é a unidade convencional de volume na engenharia de semicondutores?
A. nm^3
B. mm^3
C. m^3
D. cm^3
57: Verdadeiro ou falso? Pure Si tem uma baixa resistividade elétrica à temperatura ambiente
A. Verdadeiro
B. Falso
58: Qual afirmação é verdadeira sobre o efeito Zener?
A. Liberta um grande número de transportadoras majoritárias gratuitas
B. Nenhum desses
C. Consiste em quebra elétrica em um diodo p-n tendencioso para a frente
D. Todos esses
E. Ocorre em junções muito dopadas
59: Qual é o nome do regime em que os transistores passam por corrente?
A. Acumulação
B. Condução
C. Inversão
D. Esgotamento
60: O que faz com que as partículas se difundam de regiões de maior concentração a regiões de menor concentração?
A. Densidade de elétrons
B. Orientação magnética
C. Movimento térmico
D. Osmose sintética
61: Qual partícula geralmente carrega o maior momento?
A. Um fóton
B. Um fônon
62: Um material do tipo P é _____.
A. carregado positivamente
B. cobrado negativamente
C. eletricamente neutro
D. nenhuma das acima
63:
De acordo com o critério de Barkhausen para osciladores _______.
A. <p> Aβ <1 </p>
B. <p> aβ> 1 </p>
C. <p> aβ = 1 </p>
D. <p> Aβ ≤ 1 </p>
64: Se o viés reverso no portão de um FET for aumentado, a largura do canal condutor _____.
A. aumentar
B. diminuir
C. permanece constante
65: Um FET possui os seguintes parâmetros IDSS = 32mA, VGS (OFF) = -8V, VGS = -4,5V. Qual será a corrente de drenagem?
A. 5.2 MA
B. 6.12 MA
C. 7.03 Ma
D. 7.45 Ma
66: Para uma boa estabilização do ponto de operação em um viés de divisor de tensão, a corrente I, fluindo através de potenciais divisores R1 e R2, deve ser igual ou maior que _____. (IB-Base Current)
A. 2ib
B. 10IB
C. 4IB
D. IB/2
67: Se em um transistor IE = 10,5mA, ic = 10mA, o valor de β será _____.
A. 0,2
B. 200
C. 100
D. 20
68: Um triac pode passar por uma parte de _____.
A. meio ciclo positivo através da carga
B. meio ciclo negativo através da carga
C. Meias cicladas positivas e negativas através da carga
D. Nenhuma das acima
69: Um suprimento de 230V de A.C é aplicado a um circuito retificador de meia onda através de um transformador da proporção 10: 1. Sua saída de tensão D.C será _____.
A. 5V
B. 12V
C. 10.36V
D. 5.18V
70: Um tubo de vácuo conduz a corrente _____.
A. Do cátodo ao ânodo
B. Do ânodo ao cátodo
C. em ambas as direções acima
D. alternadamente em ambas as direções
71: Se um circuito de retificador de ondas de ondas completas com filtro de capacitor emprega uma carga RL = 100Ω e C = 1050µF e a frequência é de 50Hz, qual seria o fator de ondulação?
A. 40%
B. 30%
C. 22%
D. 27%
72: Um diodo de varactor pode funcionar como um capacitor variável com viés de avanço A________.
A. muito ligeira
B. moderado
C. pesado
73: As frequências de rádio têm seu alcance acima de _____.
A. 20kHz
B. 50kHz
C. 100kHz
D. 200khz
74: No polarização do feedback do coletor, β = 57, RC = 1 kΩ, Ib = 60µA e VCB = 4,5V. O valor do fator de estabilidade será _____.
A. 30.4
B. 32.9
C. 57
D. 4.5
75: No modo de aprimoramento (MOSFET), a condutividade aumenta _____.
A. com a diminuição da tensão positiva do portão
B. Com o aumento da tensão positiva da portão
C. com a diminuição da tensão do portão negativo
D. com o aumento da tensão do portão negativo
76: Um amplificador de três estágios possui um ganho de tensão de primeira etapa de 100, um ganho de tensão do segundo estágio de 200 e um terceiro estágio de 400. O ganho total de tensão em dB será _____.
A. 130 dB
B. 140 dB
C. 132 dB
D. 138 dB
77: Em ressonância paralela, um circuito ajustado oferece uma impedância de _____.
A. C/lr
B. R/lc
C. L/cr
D. 2L/cr
78: Um SCR é um estado sólido equivalente a _____.
A. Triodo
B. Pentodo
C. thyratron
D. diodo
79: No D.C. Circuito equivalente de um amplificador de transistor, os capacitores são considerados _____.
A. Abrir
B. Curto
C. Às vezes aberto e às vezes curto
D. Inalterado
80: A eficiência máxima de um retificador de onda completa é _____.
A. 40%
B. 81,2%
C. 90%
D. 99%
81: Se a tensão de alimentação do coletor for 10V, o coletor de corte de tensão nas condições de DC será _____.
A. 5V
B. 10V
C. 20V
D. 30V
82: Se a entrada para um circuito de integração for uma onda quadrada, a saída será _____.
A. triangular
B. retangular
C. dente de serra
D. arrasado
83: Se em um transistor, ic = 9,5mA, ou seja = 10mA, o valor de α será _____.
A. 0,95
B. 10
C. 9.5
D. 0,095
84: Em um oscilador de mudança de fase R-C, uma rede R-C foi projetada para introduzir uma mudança de fase de _____.
A. 300
B. 600
C. 900
D. 1800
85: Se a entrada para um circuito diferenciador for uma onda quadrada, a saída será _____.
A. retangular
B. cravado
C. triangular
D. sinusoidal
86: Para a amplificação fiel, o VBE não deve cair abaixo de _____.
A. 0,9V para transistores SI
B. 0,5V para transistores SI
C. 0,3V para transistores SI
D. 0,7V para transistores SI
87: Para um oscilador de mudança de fase R-C, a frequência de oscilação será dada como _____.
A. fo = 1/2п√rc
B. fo = 1/2п√6rc
C. fo = 1/√2пrc
D. fo = 2/√2пrc
88: Uma junção p-n tendenciosa reversa tem uma resistência da ordem de _____.
A. Ω
B. KΩ
C. Mω
D. Mω
89: A impedância de um circuito ajustado paralelo na ressonância é _____.
A. 0
B. baixo
C. muito alto
D. muito baixo
90: Um amplificador de transistor possui 4V, 2MA como ponto de operação. Para a amplificação fiel, a corrente do coletor devido ao sinal sozinha não deve exceder _____.
A. 2m
B. 1Ma
C. 4mA
D. 8Ma
91: Um miliammeter de DC conectado a um retificador de meia onda que fornece uma corrente máxima de 10mA lerá _____.
A. 10 MA
B. 20 MA
C. 5 MA
D. 3.18 ma
92: Um SCR combina os recursos de _____.
A. um retificador e um amplificador
B. um retificador e um transistor
C. um retificador e um oscilador
D. um retificador e um inversor
93: O oscilador Hartley é _____.
A. um oscilador RC
B. um oscilador LC
C. um oscilador de cristal
94: Se em um transistor VCB = 4V, VBE = 0,7V, o VCE será igual a _____.
A. 4.7V
B. 5.4V
C. 3.3V
D. 0,7V
95: As tensões de entrada e saída de um amplificador de transistor CE são _____.
A. em fase
B. 90 ° fora de fase
C. 180 ° fora da fase
D. 120 ° fora de fase
96: Um FET possui ________ coeficiente de resistência à temperatura.
A. 0
B. positivo
C. negativo
97: AN: FET é um _____.
A. dispositivo bipolar
B. dispositivo tripolar
C. dispositivo unipolar
98: O MOS complementar (CMOS) usa _____.
A. apenas dispositivos de canal n no circuito
B. Somente dispositivos de canal P no circuito
C. Os dispositivos de canal N e P no circuito
D. Nenhuma das acima
99: Uma carga de 3 ohm é acoplada a um amplificador de transistor através de um transformador de desvio. Se a resistência de DC do enrolamento primário for 300Ω e a resistência à saída do amplificador é 3kΩ, qual deve ser a proporção de virada para a transferência de potência máxima?
A. NP/NS = 40
B. NP/NS = 20
C. Np/ns = 30
D. NP/NS = 10
100: O valor ideal do fator de estabilidade é _____.
A. 0
B. 10
C. 1
D. 100
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