Questions sur les semi-conducteurs en langues françaises
Questions sur les semi-conducteurs en langues françaises
Ces questions et réponses à choix multiples sur les semi-conducteurs vous aideront à mieux comprendre les sujets liés aux semi-conducteurs. Profitez de ces plus de 100 QCM sur les semi-conducteurs pour vous préparer à votre prochain examen ou entretien.
Faites défiler vers le bas pour commencer à répondre.
1: Que font les diodes?
A. Ouvrez le flux de courant pour toutes les directions
B. Bloquer le courant dans une direction tout en laissant le courant couler dans une autre direction.
C. Fermer le flux de courant dans toutes les directions
2: Quel est le seul dopant de type P utilisé dans la fabrication de l'appareil en silicium?
A. Antimoine
B. Phosphore
C. Arsenic
D. Bore
3: Quelle formule mathématique prédit le plus précisément le niveau de Fermi d'un semi-conducteur?
A. Distribution de Fermi-Dirac
B. Maxwell-Boltzmann Distribution
C. Distribution de Bose-Einstein
4: Les diodes et la plupart des cellules photovoltaïques contiennent quelle caractéristique?
A. Une jonction p-n
B. Une tension précoce
C. Une jonction métal-isolant-métal
D. Une jonction à effet de salle
5: Lorsque le silicium a été dopé, qu'est-ce que cela signifie?
A. Il a été fondu et remué.
B. Des impuretés ont été ajoutées pour la rendre moins conductrice.
C. Des impuretés ont été ajoutées qui modifient ses propriétés électroniques de manière contrôlable.
D. Il a fait enlever toutes ses impuretés.
6: Qu'est-ce que & # 39; doping & # 39; faire?
A. Modifie un comportement de semi-conducteur
B. Dupliquez le semi-conducteur
C. Oxygénate un semi-conducteur
D. Purifie un semi-conducteur
7: Le silicium pur peut-il être utilisé seul pour faire un semi-conducteur?
A. Oui. Tous les semi-conducteurs se trouvent dans les carrières de sable.
B. Non. Il a besoin d'impuretés pour devenir semi-conducteurs.
C. Oui.
D. Oui. Le plus pur, mieux c'est.
8: Quels sont les deux types de base d'impuretés utilisés dans le dopage des semi-conducteurs?
A. N-Type & P-Type
B. Schottky & de forêt
C. Gauche et droitier
D. Extrinsèque intrinsèque
9: À quelle fréquence, la réactance capacitive est égale à la réactance inductive?
A. couper la fréquence
B. Fréquence correspondante
C. Fréquence de résonance
D. Fréquence de réglage
10: Quelle loi prédit l'avenir des circuits intégrés?
A. Miller & # 039; S
B. Marleau & # 039; S
C. Moore & # 039; S
D. Marchand & # 039; S
11: Quels sont les quatre terminaux d'un transistor FET?
A. Source, porte, signal et corps.
B. Sable, porte, drainage et corps.
C. Source, ni, et, et ou.
D. Source, porte, drainage et corps.
12: Quelle est la raison de la réduction du dopage de drain dans une conception de dispositif semi-conducteur en oxyde de métal?
A. Pour augmenter la focalisation des lignes
B. Pour améliorer la tension de panne
C. Pour réduire le temps de réponse des étapes
D. Pour réduire l'accumulation de carbonate de calcium
13: Quelles sont les deux bandes dans lesquelles un électron peut résider?
A. Résistif et conducteur
B. Gamma et delta
C. Photon et phonon
D. Valence et conduction
14: Quel est le dispositif semi-conducteur le plus simple?
A. Résistances
B. Électron
C. Diode
D. Transistor
15: Qu'est-ce qu'un semi-conducteur?
A. Un demi-chef d'orchestre.
B. Un chef d'orchestre qui ne fonctionne pas très bien.
C. La combinaison d'un matériau conducteur et d'un isolant.
D. Deux moitiés d'un conducteur.
16: Qu'est-ce qu'un schéma commun de polarité électrique dans un transistor MOSFET?
A. N-N-N et P-N-P.
B. N-p-r, u-p-n
C. n-p-n et p-n-p.
D. n-p-n et p-n-n-p.
17: Lequel des éléments suivants est un type de transistor?
A. PSET
B. MTT
C. NRT
D. Bjt
18: Pourquoi les semi-conducteurs sont-ils importants?
A. Ils ne sont pas importants.
B. Ils sont grands et durables.
C. Ils ont réussi à remplacer les tubes à vide comme le principal moyen de calculer les données.
D. Ils ont remplacé le silicium.
19: Quels sont les composants d'un MOSFET?
A. Source, drainage et porte
B. Tension, courant et résistivité
C. Émetteur, collectionneur et base
D. Dopant, accepteur et donateur
20: Le processus d'ajout d'impuretés délibérément pour affecter la conductivité est appelé:
A. Fabrication
B. Insertion
C. Photolithographie
D. Se doper
21: Lors de l'infusion d'impuretés dans le silicium pour faire un semi-conducteur, comment s'appelle ce processus?
A. Fusion.
B. Fissuration.
C. Se doper.
D. Conducteur.
22: Que représente BJT?
A. Transistor bimétallique Jennings
B. Transistor justifié en arrière
C. Transistor conjoint au bore
D. Transitor à jonction bipolaire
23: De quoi sont les semi-conducteurs principalement faits principalement?
A. Sel.
B. Silicium.
C. Verre.
D. Caoutchouc.
24: Que signifie LED?
A. Dispositif d'émission de lumière
B. Diode électromagnétique légère
C. Diode électro-luminescente
D. Dispositif électronique léger
25: Que représente l'acronyme IGBT?
A. Insulated Gate Bipolar Transistor.
B. Transistor intrinsèque à base de germanium
C. Transistor bidirectionnel de porte inerte
D. Transistor de bore à graphite d'iode
26: Un électron est un _____
A. Fermion
B. boson
27: Qu'est-ce qu'un semi-conducteur III-V?
A. Un semi-conducteur en trois parties d'un élément à cinq parties d'un autre élément
B. Un semi-conducteur fabriqué à partir d'éléments des colonnes III et V du tableau périodique
C. Un semi-conducteur avec des bandes de conduction à 3 eV et 5 eV
28: Quel type de semi-conducteur obtenez-vous si vous le dopez avec du bore?
A. Un semi-conducteur de type N.
B. Un transistor boronique.
C. Un transistor de réaction borique.
D. Un semi-conducteur de type P.
29: Quelles deux formules déterminent la distribution porteuse d'un semi-conducteur?
A. Distribution et densité Fermi-Dirac des États
B. La loi de l'Ohm et de la loi actuelle de Kirchhoff & # 039;
C. Fonction Riemann Zeta et transformée de Fourier
D. Bose-Einstein Distribution & Bessel Fonctions
30: Le processus par lequel les électrons et les trous anéantissent:
A. Tunneling
B. Émission spontanée
C. Initialisation
D. Recombination
31: Quels sont les trois principaux types d'action de porteurs à l'intérieur d'un semi-conducteur?
A. Dérive, diffusion, génération de recombinaison
B. Génération de recombinaison, dissension, diffusion
C. Dissension, dérive, génération de recombinaison
D. Dérive, diffusion, dissension
32: Lequel des éléments suivants est un dispositif contrôlé de tension?
A. Bjt
B. SCR
C. Triac
D. MOSFET
33: Où doit être ajouté dans un semi-conducteur pour modifier leur conductivité?
A. Leur réseau cristallin.
B. Leur extérieur.
C. Leur centre.
D. Leurs couches.
34: Qu'est-ce qu'un exciton?
A. Une paire photon-phonon
B. Une paire de trous d'électrons
C. Un monopole magnétique
D. Une résonance de bande
35: La longueur d'onde de la lumière émise par une LED est déterminée par son:
A. Bandgap
B. fréquence phonon
C. Masse efficace d'électrons
D. permis
36: L'électron-volt est une unité de:
A. Potentiel
B. Énergie
C. Conductivité
D. Pouvoir
37: Quel concept décrit le potentiel chimique d'un semi-conducteur?
A. Énergie de Fermi
B. Statistiques de Dirac
C. Niveau Fermi
D. Niveau de fermion
38: Quelle technique est couramment utilisée pour modéliser les semi-conducteurs?
A. Photolithographie
B. Dépôt de vapeur chimique (CVD)
C. Mems
D. Pulvérisation
39: Dans l'ellipsométrie, l'azimut est l'angle entre le _______ et le plan d'incidence.
A. axe semi-minière de l'ellipse
B. Axe majeur de l'ellipse
C. accord majeur
D. axe mineur de l'ellipse
40: Un semi-conducteur dégénéré a lequel des caractéristiques suivantes?
A. Tous ces sont les caractéristiques d'un semi-conducteur dégénéré
B. Il mène comme un métal
C. Son niveau de Fermi est presque égal à son énergie de bande de conduction ou de valence
D. Il est très dopé
41: Les memristors sont également connus sous le nom de _________.
A. Transistors métalliques
B. Thyristors de mémoire
C. Résistances métalliques
D. Résistances de mémoire
42: Sur une carte de circuit imprimé quelle lettre marque généralement un transistor?
A. L
B. Q
C. T
D. R
43: Quels appareils sont généralement utilisés pour contrôler le volume en électronique?
A. Transistors
B. Inductances
C. Diodes
D. Résistances
44: Quelle est l'efficacité théorique maximale pour une cellule solaire en silicium à jonction unique?
A. 17%
B. 33%
C. 52%
D. 21%
45: Quels sont les quatre éléments de CIGS?
A. Cuivre, indium, gallium, sélénium
B. Cadmium, indium, germanium, soufre
C. Cuivre, indium, gallium, argent
D. Carbone, iode, germanium, soufre
46: Quelle est la valeur de KT à température ambiante?
A. 1,12 eV
B. 25,6 Mev
C. 15 eV
D. 137 Mev
47: Quel type d'élément est le plus largement utilisé pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs?
A. Groupe IV
B. Groupe V
C. Groupe III
D. Groupe VI
48: Quel est le terme pour une usine de fabrication de dispositifs semi-conducteurs?
A. Fab
B. Friterie
C. Installation de production de semi-conducteurs (SPF)
D. Plante
49: Quel est le bandage du silicium?
A. 1.12 EV
B. 1,41 eV
C. 2,83 eV
D. 0,79 eV
50: Quel semi-conducteur a une bande interdite directe?
A. Germanium
B. Gallium Arsenide
C. Carbure de silicium
D. Silicium
51: Qu'arrive-t-il aux électrons pour faire en sorte qu'un semi-conducteur gagne la conductivité électrique?
A. Ils ont été délocalisés.
B. Ils ont été accélérés.
C. Ils ont été bombardés.
D. Ils sont entourés de neutrinos.
52: De quoi était le premier transistor?
A. Silicium
B. Arséniure de gallium
C. Germanium
D. Arséniure d'aluminium
53: Lequel de ceux-ci est une méthode courante pour produire du silicium monocristallé?
A. Catalyse en cristal nickel-palladium
B. Cristallisation Schottky
C. Processus Czochralski
D. Dépôt de vapeur chimique
54: Un espace sur une plaquette entre la matrice est appelé (n):
A. Ligne de scribe
B. Adhésif
C. Hexode
D. Masque
55: Dans un tracé de la concentration de porteurs par rapport à la température, lequel n'est pas une région distincte?
A. Extrinsèque
B. Intrinsèque
C. Congeler
D. Faire fondre dans
56: Quelle est l'unité de volume conventionnelle dans l'ingénierie des semi-conducteurs?
A. nm ^ 3
B. mm ^ 3
C. m ^ 3
D. cm ^ 3
57: Vrai ou faux? Si pur a une faible résistivité électrique à température ambiante
A. Vrai
B. FAUX
58: Quelle déclaration est vraie à propos de l'effet Zener?
A. Il libère un grand nombre de transporteurs à majorité libre
B. Aucun d'eux
C. Il se compose d'une ventilation électrique dans une diode P-N biaisée vers l'avant
D. Tous ces
E. Il se produit dans des jonctions fortement dopées
59: Quel est le nom du régime dans lequel les transistors passent le courant?
A. Accumulation
B. Conduction
C. Inversion
D. Épuisement
60: Qu'est-ce qui fait que les particules se diffusent des régions de concentration plus élevée aux régions de concentration plus faible?
A. Densité d'électron
B. Orientation magnétique
C. Mouvement thermique
D. Osmose synthétique
61: Quelle particule porte généralement le plus d'élan?
A. Un photon
B. Un phonon
62: Un matériau de type P est _____.
A. chargé positivement
B. chargé négativement
C. électriquement neutre
D. Aucune de ces réponses
63:
Selon le critère de Barkhausen pour les oscillateurs _______.
A - Gain d'ouverture de boucle
β - Facteur de retour en arrière
A. <p> aβ <1 </p>
B. <p> aβ> 1 </p>
C. <p> aβ = 1 </p>
D. <p> aβ ≤ 1 </p>
64: Si le biais inverse sur la porte d'un FET est augmenté, la largeur du canal conducteur _____.
A. augmenter
B. diminuer
C. rester constante
65: Un FET a les paramètres suivants IDSS = 32MA, VGS (OFF) = -8V, VGS = -4.5V. Quel sera le courant de drain?
A. 5.2 mA
B. 6.12 Ma
C. 7.03 Ma
D. 7,45 Ma
66: Pour une bonne stabilisation du point de fonctionnement dans un biais de diviseur de tension, le courant I, circulant à travers les diviseurs potentiels R1 et R2, devrait être égal ou supérieur à _____. (Courant de base IB)
A. 2ib
B. 10ib
C. 4ib
D. Ib / 2
67: Si dans un transistor, IE = 10,5mA, IC = 10mA, la valeur de β sera _____.
A. 0,2
B. 200
C. 100
D. 20
68: Un triac peut passer une partie de _____.
A. demi-cycle positif à travers la charge
B. demi-cycle négatif à travers la charge
C. à la fois des demi-cycles positifs et négatifs à travers la charge
D. Aucune de ces réponses
69: Une alimentation A.C de 230 V est appliquée à un circuit de redresseur à demi-onde à travers un transformateur de rapport de virage 10: 1. Sa sortie de tension D.C sera _____.
A. 5V
B. 12V
C. 10.36v
D. 5.18v
70: Un tube à vide effectue le courant _____.
A. de la cathode à l'anode
B. de l'anode à la cathode
C. Dans les deux directions ci-dessus
D. alternativement dans les deux sens
71: Si un circuit de redresseur à ondes complètes avec un filtre de condensateur utilise une charge RL = 100Ω, et C = 1050µF et que la fréquence est de 50 Hz, quel serait le facteur d'ondulation?
A. 40%
B. 30%
C. 22%
D. 27%
72: Une diode varactor peut fonctionner comme un condensateur variable avec un biais avant ________.
A. très léger
B. modéré
C. lourd
73: Les radiofréquences ont leur portée supérieure à _____.
A. 20 kHz
B. 50khz
C. 100 kHz
D. 200khz
74: Dans le biais de rétroaction du collecteur, β = 57, RC = 1 kΩ, IB = 60µA et VCB = 4,5 V. La valeur du facteur de stabilité sera _____.
A. 30.4
B. 32.9
C. 57
D. 4.5
75: En mode d'amélioration (MOSFET), la conductivité augmente _____.
A. avec la diminution de la tension de porte positive
B. avec l'augmentation de la tension de porte positive
C. avec la diminution de la tension de porte négative
D. avec l'augmentation de la tension de porte négative
76: Un amplificateur en trois étapes a un gain de tension de première étape de 100, un gain de tension de deuxième étape de 200 et un gain de troisième étape de 400. Le gain de tension total en dB sera _____.
A. 130 dB
B. 140 dB
C. 132 dB
D. 138 dB
77: À une résonance parallèle, un circuit réglé offre une impédance de _____.
A. C / LR
B. R / LC
C. L / cr
D. 2L / CR
78: Un SCR est un équivalent à l'état solide d'un _____.
A. triode
B. pentode
C. thyratron
D. diode
79: Dans le D.C. Circuit équivalent d'un amplificateur de transistor, les condensateurs sont considérés comme _____.
A. Ouvrir
B. Court
C. Parfois ouvert et parfois court
D. Inchangé
80: L'efficacité maximale d'un redresseur à ondes complètes est _____.
A. 40%
B. 81,2%
C. 90%
D. 99%
81: Si la tension d'alimentation du collecteur est de 10V, la tension de coupure du collecteur dans les conditions de D.C sera _____.
A. 5V
B. 10v
C. 20V
D. 30V
82: Si l'entrée dans un circuit d'intégration est une onde carrée, la sortie sera _____.
A. triangulaire
B. rectangulaire
C. dent de scierie
D. enrichis
83: Si dans un transistor, IC = 9,5 mA, c'est-à-dire = 10mA, la valeur de α sera _____.
A. 0,95
B. dix
C. 9.5
D. 0,095
84: Dans un oscillateur de décalage de phase R-C, un réseau R-C est conçu pour introduire un décalage de phase de _____.
A. 300
B. 600
C. 900
D. 1800
85: Si l'entrée dans un circuit de différenciation est une onde carrée, la sortie sera _____.
A. rectangulaire
B. pointu
C. triangulaire
D. sinusoïdal
86: Pour une amplification fidèle, VBE ne doit pas tomber en dessous de _____.
A. 0,9 V pour les transistors SI
B. 0,5 V pour les transistors SI
C. 0,3 V pour les transistors SI
D. 0,7 V pour les transistors SI
87: Pour un oscillateur de décalage de phase R-C, la fréquence d'oscillation sera donnée comme _____.
A. fo = 1/2ES √rc
B. FO = 1/2 2п6RC
C. fo = 1 / √2пrc
D. fo = 2 / √2пrc
88: Une jonction P-N biaisée inversée a une résistance de l'ordre de _____.
A. Ω
B. KΩ
C. MΩ
D. MΩ
89: L'impédance d'un circuit réglé parallèle à la résonance est _____.
A. 0
B. faible
C. très haut
D. très lent
90: Un amplificateur de transistor a 4V, 2MA comme point de fonctionnement. Pour une amplification fidèle, le courant du collecteur en raison du signal seul ne doit pas dépasser _____.
A. 2MA
B. 1 ma
C. 4MA
D. 8m
91: Un milliammètre D.C connecté à un redresseur de demi-onde fournissant un courant maximal de 10mA lira _____.
A. 10 mA
B. 20 mA
C. 5 mA
D. 3.18 Ma
92: Un SCR combine les fonctionnalités de _____.
A. un redresseur et un amplificateur
B. un redresseur et un transistor
C. un redresseur et un oscillateur
D. un redresseur et un onduleur
93: L'oscillateur Hartley est _____.
A. un oscillateur RC
B. un oscillateur LC
C. un oscillateur en cristal
94: Si dans un transistor VCB = 4V, VBE = 0,7 V, le VCE sera égal à _____.
A. 4.7v
B. 5.4v
C. 3.3 V
D. 0,7 V
95: Les tensions d'entrée et de sortie d'un amplificateur de transistor CE sont _____.
A. en phase
B. 90 ° hors de la phase
C. 180 ° hors de la phase
D. 120 ° hors de la phase
96: Un FET a un coefficient de résistance à la température ________.
A. 0
B. positif
C. négatif
97: Un: FET est un _____.
A. dispositif bipolaire
B. dispositif tripolaire
C. Appareil unipolaire
98: Le MOS complémentaire (CMOS) utilise _____.
A. uniquement des appareils à n canal dans le circuit
B. Seulement les dispositifs de canal p dans le circuit
C. Dispositifs de canal N et P dans le circuit
D. Aucune de ces réponses
99: Une charge de 3 ohms est couplée à un amplificateur de transistor à travers un transformateur interdit. Si la résistance D.C de l'enroulement primaire est de 300Ω et que la résistance de sortie de l'amplificateur est de 3kΩ, quel devrait être le rapport de virage pour le transfert de puissance maximale?
A. Np / ns = 40
B. Np / ns = 20
C. Np / ns = 30
D. Np / ns = 10
100: La valeur idéale du facteur de stabilité est _____.
A. 0
B. dix
C. 1
D. 100
List of Questions sur les semi...
Available in:
Semiconductors MCQs
Полупроводники вопросы на русском языке
Preguntas sobre semiconductores en español
日本語での半導体に関する質問
Domande sui semiconduttori in lingua italiana
Questions sur les semi-conducteurs en langues françaises
Questões de semicondutores em línguas portuguesas
Fragen zu Halbleitern in deutschen Sprachen
中文（简体）语言的半导体问题
أسئلة حول أشباه الموصلات باللغات العربية
Soal semikonduktor dalam bahasa indonesia
Türkçe dillerinde yarı iletkenler soruları
