中文（简体）语言的半导体问题
中文（简体）语言的半导体问题
这些多项选择半导体问题和答案将帮助您更好地理解半导体主题。 使用这 100 多个半导体 MCQ 为您的下一次考试或面试做准备。
向下滚动以从答案开始。
1: 二极管做什么？
A. 在各个方向上开放电流流
B. 在一个方向上阻止电流，同时让电流向另一个方向流动。
C. 在所有方向上关闭电流
2: 硅设备制造中唯一使用的P型掺杂剂是什么？
A. 锑
B. 磷
C. 砷
D. 硼
3: 哪种数学公式最准确地预测了半导体的费米水平？
A. 费米 - 迪拉克分布
B. 麦克斯韦·博尔兹曼分布
C. Bose-Einstein分布
4: 二极管和大多数光伏电池都包含哪些功能？
A. P-N连接
B. 早期电压
C. 金属 - 金属金属连接
D. 大厅效应连接
5: 当硅被掺杂时，这是什么意思？
A. 它已经融化并搅动。
B. 添加了杂质以使其导电不足。
C. 已经添加了以可控制的方式改变其电子特性的杂质。
D. 它已清除了所有杂质。
6: 什么是掺杂＆＃39;做？
A. 更改半导体的行为
B. 复制半导体
C. 氧化半导体
D. 净化半导体
7: 可以单独使用纯硅制造半导体吗？
A. 是的。所有半导体都在沙子采石场中发现。
B. 否。它需要杂质才能成为半导体。
C. 是的。
D. 是的。纯净，越好。
8: 半导体掺杂中使用的两种基本杂质类型是什么？
A. n型和p-type
B. Schottky＆de Forest
C. 左撇子和右手
D. 内在和外部
9: 在哪个频率下，电容电抗等于电感抗性？
A. 切断频率
B. 匹配频率
C. 共振频率
D. 调谐频率
10: 哪些法律可以预测综合电路的未来？
A. 米勒
B. 马洛
C. 摩尔＆＃039; s
D. Marchand
11: FET晶体管的四个终端是什么？
A. 来源，门，信号和身体。
B. 沙子，门，排水和身体。
C. 来源，也没有。
D. 来源，门，排水和身体。
12: 减少金属氧化物半导体设备设计中排水掺杂的原因是什么？
A. 增加线路焦点
B. 提高故障电压
C. 减少步骤响应时间
D. 减少碳酸钙的积聚
13: 电子可以居住的两个频带是什么？
A. 电阻和导电
B. 伽玛和三角洲
C. 光子和声子
D. 价和传导
14: 最简单的半导体设备是什么？
A. 电阻
B. 电子
C. 二极管
D. 晶体管
15: 什么是半导体？
A. 一半的导体。
B. 一个不能很好地工作的导体。
C. 导电材料和绝缘体的组合。
D. 两个导体的两半。
16: MOSFET晶体管中电极性的常见方案是什么？
A. N-N-N和P-N-P。
B. N-P-R，U-P-N
C. N-P-N和P-N-P。
D. N-P-N和P-N-N-P。
17: 以下哪种是晶体管？
A. PSET
B. Mtt
C. NRT
D. BJT
18: 为什么半导体很重要？
A. 他们并不重要。
B. 它们很大且耐用。
C. 他们成功替换了真空管作为计算数据的主要方法。
D. 他们取代了硅。
19: MOSFET的组件是什么？
A. 来源，排水和门
B. 电压，电流和电阻率
C. 发射极，收藏家和基础
D. 掺杂者，受体和捐助者
20: 故意添加杂质影响电导率的过程称为：
A. 制造
B. 插入
C. 光刻学
D. 掺杂
21: 当将杂质注入硅以制造半导体时，这个过程称为什么？
A. 融化。
B. 破裂。
C. 掺杂。
D. 进行。
22: BJT代表什么？
A. 双金属詹宁斯晶体管
B. 返回正当的晶体管
C. 硼关节晶体管
D. 双极连接晶体管
23: 半导体主要由什么制成？
A. 盐。
B. 硅。
C. 玻璃。
D. 橡皮。
24: LED代表什么？
A. 光发射装置
B. 光电磁二极管
C. 发光二极管
D. 轻型电子设备
25: 首字母缩写IGBT代表什么？
A. 绝缘门两极晶体管。
B. 固有的基于锗的晶体管
C. 惰性门双向晶体管
D. 碘石墨硼晶体管
26: 电子是_____
A. 费米恩
B. 玻色子
27: 什么是III-V半导体？
A. 一个由一个元素的三个部分组成的半导体到另一个元素的五个部分
B. 由周期表III和V列中的元素制成的半导体
C. 一个半导体，在3 eV和5 eV处有传导带
28: 如果您将硼加入哪种类型的半导体？
A. N型半导体。
B. 硼晶晶体管。
C. 硼反应晶体管。
D. P型半导体。
29: 哪个两个公式决定了半导体的载体分布？
A. Fermi-Dirac分布和状态的密度
B. ohm＆＃039;＆Kirchhoff目前的法律
C. Riemann Zeta功能和傅立叶变换
D. Bose-Einstein分布和贝塞尔功能
30: 电子和孔被歼灭的过程：
A. 隧道
B. 自发发射
C. 初始化
D. 重组
31: 半导体内发生了哪种主要类型的载体作用？
A. 漂移，扩散，重组产生
B. 重组产生，分歧，扩散
C. 分解，漂移，重组产生
D. 漂移，扩散，分歧
32: 以下哪个是电压控制的设备？
A. BJT
B. scr
C. TRIAC
D. mosfet
33: 必须在半导体中添加掺杂以改变其电导率？
A. 他们的水晶格子。
B. 他们的外面。
C. 他们的中心。
D. 他们的层。
34: 什么是激子？
A. 光子 - 音波对
B. 电子孔对
C. 磁性单极
D. 带隙共振
35: LED发出的光的波长取决于其：
A. bandgap
B. 声子频率
C. 电子有效质量
D. 介电常数
36: 电子伏特是一个单位：
A. 潜在的
B. 活力
C. 电导率
D. 力量
37: 哪个概念描述了半导体的化学潜力？
A. 费米能量
B. 狄拉克统计
C. 费米级
D. 费米恩水平
38: 哪种技术通常用于模拟半导体？
A. 光刻
B. 化学蒸气沉积（CVD）
C. mems
D. 溅射
39: 在椭圆法中，方位角是_______和入射率平面之间的角度。
A. 椭圆的半小轴
B. 椭圆的主要轴
C. 大弦
D. 椭圆的次要轴
40: 退化的半导体具有以下哪些特征？
A. 所有这些都是退化半导体的特征
B. 它像金属一样
C. 它的费米水平几乎等于其传导或价带能量
D. 它高度掺杂
41: 备忘录也称为_________。
A. 金属晶体管
B. 记忆锥子
C. 金属电阻
D. 内存电阻
42: 在电路板上，通常什么字母标记晶体管？
A. l
B. 问
C. t
D. r
43: 通常使用哪些设备来控制电子设备？
A. 晶体管
B. 电感器
C. 二极管
D. 电阻
44: 单结硅太阳能电池的最大理论效率是多少？
A. 17％
B. 33％
C. 52％
D. 21％
45: 香烟中的四个要素是什么？
A. 铜，凹，凝胶，硒
B. 镉，indium，锗，硫
C. 铜，凹膜，镀银，银
D. 碳，碘，锗，硫
46: 在室温下KT的价值是多少？
A. 1.12 ev
B. 25.6 mev
C. 15 ev
D. 137梅夫
47: 哪种类型的元素最广泛用于制造半导体设备？
A. 第四组
B. 第五组
C. 第三组
D. 第六组
48: 半导体设备制造工厂的术语是什么？
A. 工厂
B. 薯条店
C. 半导体生产设施（SPF）
D. 拼盘植物
49: 什么是硅的带盖？
A. 1.12 ev
B. 1.41 ev
C. 2.83 ev
D. 0.79 ev
50: 哪个半导体具有直接的带隙？
A. 锗
B. 砷耐甘油
C. 碳化硅
D. 硅
51: 电子导致半导体获得电导率会发生什么？
A. 他们已经被离居。
B. 他们已经加快了。
C. 他们被轰炸了。
D. 它们被中微子包围。
52: 第一个晶体管是什么？
A. 硅
B. 砷耐加仑
C. 锗
D. 铝砷
53: 其中哪种是产生单晶硅的常见方法？
A. 镍 - 钯晶体催化
B. Schottky结晶
C. Czochralski进程
D. 化学气相沉积
54: 晶圆上的一个空间称为a（n）：
A. 抄写线
B. 粘合剂
C. 六座
D. 面具
55: 在载体浓度与温度的图中，其中哪一个不是一个不同的区域？
A. 外在
B. 固有的
C. 冻结
D. 融化
56: 半导体工程中的常规数量单位是什么？
A. NM^3
B. mm^3
C. M^3
D. CM^3
57: 对或错？纯SI在室温下具有低电阻率
A. 真的
B. 错误的
58: 关于齐纳效应的哪个陈述是正确的？
A. 它解放了大量自由多数载体
B. 都不是
C. 它由向前偏见的P-N二极管中的电击穿组成
D. 所有这些
E. 它发生在浓度的掺杂连接处
59: 晶体管通过电流的政权的名称是什么？
A. 积累
B. 传导
C. 反转
D. 消耗
60: 是什么导致颗粒从较高浓度的区域扩散到较低浓度的区域？
A. 电子密度
B. 磁取向
C. 热运动
D. 合成渗透
61: 哪个粒子通常具有最大的动力？
A. 一个光子
B. 一个声子
62: P型材料是_____。
A. 积极地充电
B. 负责
C. 电气中性
D. 以上都不是
63:
根据振荡器的Barkhausen标准_______。
A. <p>aβ<1 </p>
B. <p>aβ> 1 </p>
C. <p>aβ= 1 </p>
D. <p>aβ≤1</p>
64: 如果增加了FET门上的反向偏置，则导电通道的宽度将_____。
A. 增加
B. 减少
C. 保持不变
65: FET具有以下参数IDSS = 32MA，VGS（OFF）= -8V，VGS = -4.5V。排水电流是多少？
A. 5.2 MA
B. 6.12 ma
C. 7.03 MA
D. 7.45 MA
66: 为了良好的稳定电压分隔偏置中的工作点，流过电势分隔线R1和R2的当前I应等于或大于_____。 （IB基准电流）
A. 2ib
B. 10ib
C. 4ib
D. IB/2
67: 如果在晶体管IE = 10.5mA中，IC = 10mA，则β的值将为_____。
A. 0.2
B. 200
C. 100
D. 20
68: TRIAC可以通过_____的一部分。
A. 正载正面的正循环
B. 负载负载的负半周期
C. 通过负载正面和负半循环
D. 以上都不是
69: 通过转弯比10：1的变压器，将230V的A.C电源应用于半波整流器电路。它的DC电压输出将为_____。
A. 5V
B. 12V
C. 10.36V
D. 5.18V
70: 真空管导致电流_____。
A. 从阴极到阳极
B. 从阳极到阴极
C. 在以上两个方向上
D. 在两个方向上交替
71: 如果带有电容器过滤器的全波中心敲击器的电路采用负载rl =100Ω，并且C = 1050µF，频率为50Hz，则纹波因子是什么？
A. 40％
B. 30％
C. 22％
D. 27％
72: 变量二极管可以充当带有________正向偏置的可变电容器。
A. 非常轻微
B. 缓和
C. 重的
73: 无线电频率的范围高于_____。
A. 20kHz
B. 50kHz
C. 100kHz
D. 200kHz
74: 在收集器反馈偏置中，β= 57，rc =1kΩ，Ib = 60µA和VCB = 4.5V。稳定性因子的值将为_____。
A. 30.4
B. 32.9
C. 57
D. 4.5
75: 在增强模式（MOSFET）中，电导率增加_____。
A. 随着正门电压的降低
B. 随着正门电压的增加
C. 随着负门电压的降低
D. 随着负门电压的增加
76: 三阶段放大器的第一阶段电压增长率为100，第二级电压增益为200，第三级增益为400。DB中的总电压增长率为_____。
A. 130 dB
B. 140 dB
C. 132 dB
D. 138 DB
77: 在平行共振时，调谐电路的阻抗为_____。
A. c/lr
B. R/LC
C. l/cr
D. 2L/cr
78: SCR是相当于_____的固态。
A. 三极管
B. Pentode
C. 廷拉隆
D. 二极管
79: 在华盛顿晶体管放大器的等效电路，电容器被视为_____。
A. 打开
B. 短的
C. 有时打开，有时短
D. 不变
80: 全波整流器的最大效率为_____。
A. 40％
B. 81.2％
C. 90％
D. 99％
81: 如果收集器电源电压为10V，则在D.C条件下关闭电压为_____。
A. 5V
B. 10V
C. 20V
D. 30V
82: 如果集成电路的输入是方波，则输出将为_____。
A. 三角形
B. 矩形的
C. 锯齿
D. 尖刺
83: 如果在晶体管中，IC = 9.5mA，IE = 10mA，则α的值将为_____。
A. 0.95
B. 10
C. 9.5
D. 0.095
84: 在R-C相移振荡器中，R-C网络旨在引入_____的相移。
A. 300
B. 600
C. 900
D. 1800
85: 如果对区分电路的输入是方波，则输出将为_____。
A. 矩形的
B. 钉
C. 三角形
D. 正弦
86: 为了忠实的放大，VBE不能低于_____。
A. SI晶体管的0.9V
B. SI晶体管的0.5V
C. SI晶体管的0.3V
D. Si晶体管的0.7V
87: 对于R-C相移振荡器，振荡频率将以_____给出。
A. fo = 1/2п√RC
B. fo = 1/2п√6rc
C. fo = 1/√2пRC
D. fo = 2/√2пRC
88: 反向偏见的P-N连接具有_____的命令的阻力。
A. ω
B. KΩ
C. mΩ
D. MΩ
89: 共振时平行调谐电路的阻抗为_____。
A. 0
B. 低的
C. 很高
D. 非常低
90: 晶体管放大器具有4V，2MA作为操作点。对于忠实的放大，仅由于信号而引起的收集器电流不应超过_____。
A. 2MA
B. 1ma
C. 4ma
D. 8mA
91: 连接到半波整流器的D.C毫米表提供的最大电流为10mA，将读取_____。
A. 10 MA
B. 20 ma
C. 5 ma
D. 3.18 ma
92: SCR结合了_____的功能。
A. 整流器和放大器
B. 整流器和晶体管
C. 整流器和振荡器
D. 整流器和逆变器
93: Hartley振荡器是_____。
A. RC振荡器
B. LC振荡器
C. 晶体振荡器
94: 如果在晶体管VCB = 4V中，VBE = 0.7V，则VCE等于_____。
A. 4.7V
B. 5.4V
C. 3.3V
D. 0.7V
95: CE晶体管放大器的输入和输出电压为_____。
A. 在阶段
B. 90°偏置
C. 180°偏置
D. 120°偏置
96: FET具有________温度的抗性。
A. 0
B. 积极的
C. 消极的
97: 答：FET是_____。
A. 双极装置
B. Tripolar设备
C. 单极设备
98: 互补MOS（CMOS）使用_____。
A. 电路中只有N通道设备
B. 电路中只有P通道设备
C. 电路中的N和P通道设备
D. 以上都不是
99: 3欧姆负载通过降压变压器耦合到晶体管放大器。如果主要绕组的D.C电阻为300Ω，并且放大器的输出电阻为3KΩ，则最大功率传输的转弯比应该是多少？
A. NP/NS = 40
B. NP/NS = 20
C. NP/NS = 30
D. NP/NS = 10
100: 稳定性因子的理想值是_____。
A. 0
B. 10
C. 1
D. 100
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