中文(简体)语言的半导体问题

中文(简体)语言的半导体问题

这些多项选择半导体问题和答案将帮助您更好地理解半导体主题。 使用这 100 多个半导体 MCQ 为您的下一次考试或面试做准备。
向下滚动以从答案开始。

1: 二极管做什么?

A.   在各个方向上开放电流流

B.   在一个方向上阻止电流,同时让电流向另一个方向流动。

C.   在所有方向上关闭电流

2: 硅设备制造中唯一使用的P型掺杂剂是什么?

A.   锑

B.   磷

C.   砷

D.   硼

3: 哪种数学公式最准确地预测了半导体的费米水平?

A.   费米 - 迪拉克分布

B.   麦克斯韦·博尔兹曼分布

C.   Bose-Einstein分布

4: 二极管和大多数光伏电池都包含哪些功能?

A.   P-N连接

B.   早期电压

C.   金属 - 金属金属连接

D.   大厅效应连接

5: 当硅被掺杂时,这是什么意思?

A.   它已经融化并搅动。

B.   添加了杂质以使其导电不足。

C.   已经添加了以可控制的方式改变其电子特性的杂质。

D.   它已清除了所有杂质。

6: 什么是掺杂'做?

A.   更改半导体的行为

B.   复制半导体

C.   氧化半导体

D.   净化半导体

7: 可以单独使用纯硅制造半导体吗?

A.   是的。所有半导体都在沙子采石场中发现。

B.   否。它需要杂质才能成为半导体。

C.   是的。

D.   是的。纯净,越好。

8: 半导体掺杂中使用的两种基本杂质类型是什么?

A.   n型和p-type

B.   Schottky&de Forest

C.   左撇子和右手

D.   内在和外部

9: 在哪个频率下,电容电抗等于电感抗性?

A.   切断频率

B.   匹配频率

C.   共振频率

D.   调谐频率

10: 哪些法律可以预测综合电路的未来?

A.   米勒

B.   马洛

C.   摩尔' s

D.   Marchand

11: FET晶体管的四个终端是什么?

A.   来源,门,信号和身体。

B.   沙子,门,排水和身体。

C.   来源,也没有。

D.   来源,门,排水和身体。

12: 减少金属氧化物半导体设备设计中排水掺杂的原因是什么?

A.   增加线路焦点

B.   提高故障电压

C.   减少步骤响应时间

D.   减少碳酸钙的积聚

13: 电子可以居住的两个频带是什么?

A.   电阻和导电

B.   伽玛和三角洲

C.   光子和声子

D.   价和传导

14: 最简单的半导体设备是什么?

A.   电阻

B.   电子

C.   二极管

D.   晶体管

15: 什么是半导体?

A.   一半的导体。

B.   一个不能很好地工作的导体。

C.   导电材料和绝缘体的组合。

D.   两个导体的两半。

16: MOSFET晶体管中电极性的常见方案是什么?

A.   N-N-N和P-N-P。

B.   N-P-R,U-P-N

C.   N-P-N和P-N-P。

D.   N-P-N和P-N-N-P。

17: 以下哪种是晶体管?

A.   PSET

B.   Mtt

C.   NRT

D.   BJT

18: 为什么半导体很重要?

A.   他们并不重要。

B.   它们很大且耐用。

C.   他们成功替换了真空管作为计算数据的主要方法。

D.   他们取代了硅。

19: MOSFET的组件是什么?

A.   来源,排水和门

B.   电压,电流和电阻率

C.   发射极,收藏家和基础

D.   掺杂者,受体和捐助者

20: 故意添加杂质影响电导率的过程称为:

A.   制造

B.   插入

C.   光刻学

D.   掺杂

21: 当将杂质注入硅以制造半导体时,这个过程称为什么?

A.   融化。

B.   破裂。

C.   掺杂。

D.   进行。

22: BJT代表什么?

A.   双金属詹宁斯晶体管

B.   返回正当的晶体管

C.   硼关节晶体管

D.   双极连接晶体管

23: 半导体主要由什么制成?

A.   盐。

B.   硅。

C.   玻璃。

D.   橡皮。

24: LED代表什么?

A.   光发射装置

B.   光电磁二极管

C.   发光二极管

D.   轻型电子设备

25: 首字母缩写IGBT代表什么?

A.   绝缘门两极晶体管。

B.   固有的基于锗的晶体管

C.   惰性门双向晶体管

D.   碘石墨硼晶体管

26: 电子是_____

A.   费米恩

B.   玻色子

27: 什么是III-V半导体?

A.   一个由一个元素的三个部分组成的半导体到另一个元素的五个部分

B.   由周期表III和V列中的元素制成的半导体

C.   一个半导体,在3 eV和5 eV处有传导带

28: 如果您将硼加入哪种类型的半导体?

A.   N型半导体。

B.   硼晶晶体管。

C.   硼反应晶体管。

D.   P型半导体。

29: 哪个两个公式决定了半导体的载体分布?

A.   Fermi-Dirac分布和状态的密度

B.   ohm'&Kirchhoff目前的法律

C.   Riemann Zeta功能和傅立叶变换

D.   Bose-Einstein分布和贝塞尔功能

30: 电子和孔被歼灭的过程:

A.   隧道

B.   自发发射

C.   初始化

D.   重组

31: 半导体内发生了哪种主要类型的载体作用?

A.   漂移,扩散,重组产生

B.   重组产生,分歧,扩散

C.   分解,漂移,重组产生

D.   漂移,扩散,分歧

32: 以下哪个是电压控制的设备?

A.   BJT

B.   scr

C.   TRIAC

D.   mosfet

33: 必须在半导体中添加掺杂以改变其电导率?

A.   他们的水晶格子。

B.   他们的外面。

C.   他们的中心。

D.   他们的层。

34: 什么是激子?

A.   光子 - 音波对

B.   电子孔对

C.   磁性单极

D.   带隙共振

35: LED发出的光的波长取决于其:

A.   bandgap

B.   声子频率

C.   电子有效质量

D.   介电常数

36: 电子伏特是一个单位:

A.   潜在的

B.   活力

C.   电导率

D.   力量

37: 哪个概念描述了半导体的化学潜力?

A.   费米能量

B.   狄拉克统计

C.   费米级

D.   费米恩水平

38: 哪种技术通常用于模拟半导体?

A.   光刻

B.   化学蒸气沉积(CVD)

C.   mems

D.   溅射

39: 在椭圆法中,方位角是_______和入射率平面之间的角度。

A.   椭圆的半小轴

B.   椭圆的主要轴

C.   大弦

D.   椭圆的次要轴

40: 退化的半导体具有以下哪些特征?

A.   所有这些都是退化半导体的特征

B.   它像金属一样

C.   它的费米水平几乎等于其传导或价带能量

D.   它高度掺杂

41: 备忘录也称为_________。

A.   金属晶体管

B.   记忆锥子

C.   金属电阻

D.   内存电阻

42: 在电路板上,通常什么字母标记晶体管?

A.   l

B.   问

C.   t

D.   r

43: 通常使用哪些设备来控制电子设备?

A.   晶体管

B.   电感器

C.   二极管

D.   电阻

44: 单结硅太阳能电池的最大理论效率是多少?

A.   17%

B.   33%

C.   52%

D.   21%

45: 香烟中的四个要素是什么?

A.   铜,凹,凝胶,硒

B.   镉,indium,锗,硫

C.   铜,凹膜,镀银,银

D.   碳,碘,锗,硫

46: 在室温下KT的价值是多少?

A.   1.12 ev

B.   25.6 mev

C.   15 ev

D.   137梅夫

47: 哪种类型的元素最广泛用于制造半导体设备?

A.   第四组

B.   第五组

C.   第三组

D.   第六组

48: 半导体设备制造工厂的术语是什么?

A.   工厂

B.   薯条店

C.   半导体生产设施(SPF)

D.   拼盘植物

49: 什么是硅的带盖?

A.   1.12 ev

B.   1.41 ev

C.   2.83 ev

D.   0.79 ev

50: 哪个半导体具有直接的带隙?

A.   锗

B.   砷耐甘油

C.   碳化硅

D.   硅